硅基晶体管

推荐微电子所在新型负电容FinFET器件研究取得进展

中国粉体网讯近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心，面向5纳米及以下节点高性能和低功耗晶体管性能需求，基于主流后高K金属栅（HKMG-last）三维FinFET器件集成技术，成功研制出高性能的负电容FinFET[更多]