中国粉体网讯 SiC单晶材料作为第三代半导体衬底材料,在制作高频、大功率电子器件等领域有着广泛的应用前景,而SiC加工技术对制作衬底材料起到决定作用。典型的SiC晶体加工过程主要分为切割、研磨和抛光三道关键工序。切割加工是第[更多]
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