摘要:在先进半导体制造过程中,化学机械抛光(CMP)是实现晶圆全局与局部平坦化的核心工艺,一般认为,LPC是影响晶圆缺陷水平与良率的关键指标,而在实际应用中,抛光液(slurry)的稳定性也是影响抛光一致性、缺陷水平及最终良[更多]
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