中国粉体网讯 攻坚SiC“中国芯”,决战“材料纯度”制高点。碳化硅(SiC),凭借其优异的电、热性能如宽带隙、高击穿电压、高导热能力、大饱和电子漂移速率,被视作第三代半导体材料中的代表之一,已在现代电力电子器件领域有着诸多应[更多]
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