4H-SiC衬底

推荐液相法!P型4H-SiC单晶制备的关键路径

中国粉体网讯 作为新能源汽车、光伏和5G通讯等战略性半导体材料,碳化硅晶体在推动绿色、低碳、高效新型产业发展的重要性可见一斑。相比Si基器件,SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点。目前,[更多]

资讯 SiC器件第三代半导体3C-SiC4H-SiC衬底李辉
|
中国粉体网
423 点击423
+ 加载更多