三菱化学

推荐实现4寸结晶成长，GaN基板将提早量产

中国粉体网讯 据日本化学工业日报报道，三菱化学与日本制钢所合作研发的氮化镓(Gallium Nitride; GaN)基板技术，经确认结晶成长已达4寸。氮化镓是镓与氮的化合物，是实现超高效率元件的关键材料，业界相当期待正式普[更多]