高温化学气相沉积

推荐告别缺陷与杂晶！SiC近自由态生长方法带来新突破

中国粉体网讯碳化硅作为第三代半导体，具有比硅更优异的电学性能和热学性能，成为制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一，SiC功率器件在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、航空航天等领域得到了广泛的应用。目前，用于SiC晶体[更多]