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退火炉主要用于晶体或是晶片在真空环境中的退火工艺环节，消除晶体或晶片内部应力或缺陷，从而提高晶体或晶片加工性能和品质。性能优势1、腔体内部经镜面抛光，减少氧化物附着，具有高真空获得能力与长时间保压能力，可以实现自动工艺方式；2、控温精度可达±0.5℃，实现横向和纵向的温度梯度均≤0.5℃/cm。晶体尺寸6~12英寸工艺退火处理加热方式电阻式基本参数主机尺寸根据选型对应不同尺寸整机重量约2.2~2.
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