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纳米结构低损伤刻蚀由于等离子的能量分布低，从而能实现低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀。简单高速率刻蚀MEMS制造工艺中，Si材料光滑侧壁的高速高选择比刻蚀，可以很容易的通过室温或低温工艺实现。内置ICP等离子源平板三螺旋天线(PTSA)等离子源是SENTECH独有的高端等离子工艺系统。PTSA能产生高密度低能量分布的等离子体。在多种材料刻蚀工艺中都能实现高效率耦合及稳定起辉。动态温控衬底温度设定和工艺过程
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