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ULVAC研究开发用溅射设备QAM系列低真空工艺环境本设备具备约1Pa～0.1Pa的等离子体持续放电压力范围，与传统设备相比能够在更低压力下进行溅射成膜。多组分共溅射/多层膜溅射本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构，从而能够进行多组分共溅射成膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。良好的膜厚分布本设备采用对衬底倾斜的入射方式，从而能够实现非常良好的膜厚分布。LTS的采用本设备通过采用ULV
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