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首页 > 产品中心 > 碳化硅粉 > 半绝缘型4H-SiC衬底片
产品详情
半绝缘型4H-SiC衬底片
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207
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暂无
型号:
半绝缘型4H-SiC衬底片
产地:
深圳
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暂无
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深圳市重投天科半导体有限公司
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碳化硅粉
导电型4H-SiC衬底晶片
导电型4H-SiC外延晶片
半绝缘型4H-SiC衬底片
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产品简介
衬底尺寸:4~6英寸
晶片厚度:500 μm ± 15 μm
电阻率:≥1E10 Ω·cm
用途:主要用于外延GaN高功率射频器件,应用于微波射频领域。
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