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半绝缘型4H-SiC衬底片
半绝缘型4H-SiC衬底片的图片
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暂无
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半绝缘型4H-SiC衬底片
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深圳
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名 称:深圳市重投天科半导体有限公司
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产品简介

衬底尺寸:4~6英寸

晶片厚度:500 μm ± 15 μm

电阻率:≥1E10 Ω·cm

用途:主要用于外延GaN高功率射频器件,应用于微波射频领域。


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