3月25日至27日，全球半导体行业盛会Semicon China 2026在上海举行。四方仪器基于20余年深厚的气体监测技术积淀，针对半导体制造关键工艺痛点，正式推出三大核心气体监测解决方案，并与现场观众及同行深入探讨了气体监测在提升良率、降低成本中的应用价值。

CVD腔室清洗终点检测

在CVD沉积后的腔室清洗工艺中，传统定时清洗模式存在清洗不彻底或过度清洗的问题，不仅浪费昂贵的清洗气体，还影响设备利用率和工艺良率。

采用四方仪器Gasboard-2060系列红外气体传感器，实时监测SiF4、WF6、CF4、SF6、NF3、CO2等气体的浓度变化，精准判断清洗终点。相比传统定时清洗，可有效减少清洗气体用量、缩短清洗时间，提升设备利用率和工艺良率。

核心优势：

• 零点漂移低，重复性好，确保每次清洗终点一致

• 1ppm低检测下限，减少腔室清洁时间

• 真空密封性好，减少清洁气体的使用

• 传感器精度高，噪声低，寿命长

微量氧监测

在扩散炉、退火炉、RTP、CVD等高温工艺中，微量氧气会导致晶圆氧化、掺杂不均，严重影响器件性能。在回流焊、真空共晶等封装环节，氧含量控制同样直接决定焊接质量。

四方仪器Gasboard-3050系列微量氧分析仪，基于氧化锆传感器技术，提供两类产品选择：

（1）Gasboard-3052（探头式）：采用远程原位传感器设计，特别适用于需持续监测氧浓度的场景，如半导体设备、手套箱、氮气管线、真空腔体及其他低氧/无氧环境。传感器可直接通过真空接头安装于真空腔体，广泛用于半导体制造、OLED生产、3D打印等使用惰性气体的工业场景。

核心优势：

• ppm级别测量，精度高

• 响应速度快，秒级出数

• 产品稳定性好，无需定期校准

• 紧凑型模块化设计，体积小，安装方便

（2）Gasboard-3053（抽取式）：采用抽取集成式设计，整合了宽量程氧化锆传感器、前处理单元和采样泵，适用于除真空腔体外的多种应用场景，如SMT工艺中的回流焊炉、扩散炉、退火炉、干燥炉等。

核心优势：

• 即插即用一体化设计

• 抗干扰能力强

• 内置采样泵与过滤系统，安装维护便捷

• 本地化端到端服务保障

MOCVD前驱体气体监测

金属有机化学气相沉积（MOCVD）是制备Ⅲ-V族化合物半导体（如氮化镓GaN）的核心工艺，前驱体（MO源）浓度的稳定性直接影响外延层质量。传统流量控制难以消除鼓泡器温度波动、液位变化等带来的浓度偏差。为实现工艺优化，需对前驱体浓度进行实时监测，并通过反馈调节气体流量、温度、压力等参数，形成闭环控制。

四方仪器红外气体传感器（MOCVD），直接监测前驱体气体浓度，为MOCVD工艺提供精确的浓度反馈，助力实现闭环控制。

核心优势：

• 零点漂移低，重复性好

• 1ppm低检测下限

• 真空密封性好

• 采用316L耐腐蚀材料，腔室组件的使用寿命更长

多年技术积淀，以可靠性能赢得行业关注

在气体分析领域，四方仪器拥有超过20年的工业级应用经验，我们的红外（NDIR）、激光（TDLAS）、激光拉曼（LRD）、超声波（Ultrasonic）等技术已在化工、冶金、油气等苛刻工业场景中得到长期验证，产品以高精度、快速响应、抗干扰、长寿命等优势，赢得了众多行业头部客户的长期信赖。

正是这种在高温、高压、强腐蚀性环境下积累出的“实战基因"，让我们对半导体工艺中洁净度、稳定性的极致追求有了更深刻的理解。从传感器到分析仪器，我们提供的不只是产品，更是经过千锤百炼的可靠监测能力，在多种工艺环境中为客户提供从设备选型到系统集成的全方位支持。

展会期间，四方仪器的展品吸引了众多设备工程师、工艺专家驻足交流。其中，CVD清洗终点检测方案因其在节省气体、提升效率方面的显著价值，成为关注焦点；微量氧分析仪在真空腔体和回流焊炉中的应用方案吸引了封装厂商的热烈讨论；MOCVD前驱体监测方案的国产化突破则获得了化合物半导体领域客户的充分肯定。

深耕行业，以精准测量助力中国“芯"发展

展会虽已落幕，但四方仪器在半导体行业的探索将持续深入。我们致力于将成熟的气体监测技术与半导体工艺需求深度融合，为行业客户提供更精准、更可靠的解决方案。

上述解决方案均已形成详细的技术资料，如您对某项方案感兴趣，或希望探讨具体工艺点的监测需求，欢迎与我们联系，我们将第一时间助您攻克气体监测难题。