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氧化硅抛光液 MYH-SOP420

氧化硅抛光液 MYH-SOP420
铭衍海微电子  2026-04-21  |  阅读:230

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氧化硅抛光液 MYH-SOP420

产品简介

铭衍海 MYH-SOP420 是半导体制程 CMP 工艺核心抛光耗材,核心为电子级高纯度纳米球形氧化硅磨粒,依托化学机械抛光协同特性,实现硅晶圆、介质层、金属互连层纳米级精密抛光,无损伤、无残留、平整度优异,契合半导体前 / 后道制程严苛标准,亦可兼容光通信器件端面超精密抛光,一液多用适配多场景。

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通过精准抛光实现:

1. 半导体基材无晶格损伤,为后续制程奠定优质基础,提升芯片良率;

2. 金属互连层平整度高,降低信号损耗,优化芯片性能;

3. 多基材抛光一致性强,兼顾光通信器件镜面抛光需求。

产品特点

1. 磨粒高纯精密:电子级高纯度,粒径分布极窄,原子级去除,抛光面无划痕、无麻点、无残留;

2. 柔性无损伤抛光:匹配半导体基材特性,抛光硅晶圆、介质层、铜 / 钨互连层,无晶格损伤、无表面刻蚀;

3. 悬浮超稳定:专用水性分散配方,磨粒不团聚、久置不分层,批量抛光一致性高,量产良率稳定;

4. 环保易清洗:纯水基体系,无 VOC、无重金属,纯水可快速冲净,符合半导体清洁生产要求;

5. 制程高度适配:抛光速率可控,平整度优异,适配各类全自动 CMP 抛光设备及 6/8/12 英寸晶圆加工;

6. 多场景兼容:满足半导体核心需求,同时适配光通信全规格连接器、光器件抛光,降低耗材成本。

应用范围

核心:半导体领域

· 硅晶圆:单 / 多晶硅晶圆前道精抛、后道制程表面整饰,实现纳米级平整度;

· 介质层:氧化硅、氮化硅介质层精密抛光,保障层间平坦度,无表面缺陷;

· 金属互连层:铜、钨互连层化学机械抛光,高精度成型互连线路,提升贴合度。

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