中国粉体网讯 近日，浙江六方半导体科技有限公司宣布完成超亿元C1轮股权融资。本轮融资由北京仓廪资本、诸暨产业投资集团有限公司联合出资，资金将重点投向前沿新品研发以及产能扩建项目，推动长晶、外延、刻蚀等核心工艺环节的材料与零部件解决方案迭代升级。企业占地100亩的全新厂房预计将于2026年12月正式投产。
来源：六方半导体
浙江六方半导体科技有限公司是半导体新材料创新者，拥有夯实的技术平台，面向多个半导体应用场景提供关键涂层材料。公司成立于2018年，位于浙江诸暨，致力于半导体新材料研发，聚焦于半导体晶体生长、外延、刻蚀等关键工艺的涂层材料及部件。企业发展初期便锚定SiC（碳化硅）涂层芯片外延托盘的国产替代目标，通过持续研发投入，掌握CVD-SiC涂层的量产设备及工艺核心技术，率先实现该类产品的自主可控。
在碳化硅长晶原料制备方面，六方半导体采用气相法制备高纯碳化硅粉料，具备高纯度、高密度、低氮含量等特性。目前公司产品性能可对标海外同类产品，已逐步导入国内主流长晶厂商供应链。依托CVD-SiC核心技术积淀，企业还持续拓宽高纯SiC材料的应用边界，将高纯SiC原料、薄膜拓展至光学、芯片散热、异构集成等多元场景。
当前全球半导体产业技术迭代持续提速，刻蚀设备装机量稳步攀升。CVD-SiC刻蚀环作为刻蚀设备关键核心耗材，市场需求随之快速上涨。但国内CVD-SiC聚焦环整体国产化率尚不足15%，7nm及以下先进制程所用聚焦环国产化率更是低于5%，国产替代缺口巨大。
2025年，由六方半导体创始人何少龙担任牵头人的国家重点研发计划“大尺寸超高纯超厚立方相碳化硅材料制备关键技术及应用”项目启动。项目集结六方半导体、甬江实验室、西安交通大学等产学研各方力量，针对CVD-SiC快速沉积的核心科学问题与高硬脆材料高效加工的关键技术难点开展协同攻坚。历经一年多集中技术攻坚，该项目近期取得阶段性重要成果，打通材料、工艺、装备全链条创新链路，打破长期制约行业发展的海外技术垄断，有力推动相关产品国产替代与产业化落地。
来源：六方半导体
市场端，目前六方半导体多款涂层基座产品已经实现批量供货，成功导入多家头部芯片外延厂商供应链，覆盖第三代半导体、功率器件、LED芯片等多个赛道客户。随着国内第三代半导体产能大规模扩张，半导体热场耗材国产替代需求激增，公司产品在寿命、稳定性指标上持续对标海外竞品，订单规模持续增长。
本轮投资方表示，第三代半导体产业进入高速增长周期，半导体热场材料作为芯片制造关键耗材，国产替代空间广阔。六方半导体在碳化硅涂层领域技术积累深厚，产品验证持续推进，看好公司在半导体核心零部件赛道的长期成长潜力。
六方半导体表示，新厂房投产后，将进一步放大产能规模，加快新品迭代，持续降低下游客户采购成本，助力国内半导体材料供应链自主可控。后续公司将持续聚焦半导体热场核心材料研发，拓展碳化钽、高纯碳化硅粉体等新产品，紧抓功率半导体产业发展机遇，持续扩大国产材料在全球市场的占有率。
参考来源：36氪、和讯网、诸暨市企业家协会、科技资本圈、六方半导体
（中国粉体网编辑整理/初末）
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