中国粉体网讯 近日，瀚天天成发布2026年半年报，报告期内，公司实现营收5.78亿元，同比增长92%。毛利达1.61亿元，同比增长193.5%，毛利率为27.8%。经调整净利润1.39亿元，同比增长43.4%。
瀚天天成称，2026年上半年，公司继续保持行业领先地位，产能规模加速扩张，半年内增长约20%；产品结构持续升级，8英寸碳化硅外延晶片销量大幅攀升，上半年销量已超过2025年全年水平。
来源：瀚天天成
据悉，瀚天天成是全球领先的宽禁带半导体核心材料碳化硅外延晶片供应商，主要从事碳化硅外延晶片的研发、生产及销售。全球前5大碳化硅功率器件厂商中有四家是公司客户，且这四家客户均是英伟达人工智能数据中心（AIDC）的供应链企业，公司已经开始显著受益于AI数据中心快速增长的电力芯片需求。
上述业绩的取得，主要得益于瀚天天成紧抓AI数据中心、新能源汽车及储能等下游应用持续发展的市场机遇，积极拓展国内外市场与客户，坚持以技术创新驱动业务发展。具体来看，公司持续扩大6、8英寸碳化硅外延晶片产能规模，推动12英寸产品产业化，并积极布局海外产能；同时通过精细化降本增效措施，有效支撑了产销量增长与盈利水平提升。
应用拓宽，多赛道研发布局
随着碳化硅技术进步与碳化硅器件经济性的提升，碳化硅器件的下游应用从新能源汽车领域进一步覆盖到包括AI数据中心、储能、电网、轨道交通、白色家电等多元场景。2026年上半年，碳化硅功率半导体行业走出前期的行业周期低谷，供需格局迎来拐点，行业景气度向上复苏，行业增长逻辑正迈向“AI数据中心+新能源汽车+储能多轮共振”，碳化硅在功率半导体市场的渗透率持续快速提升。
瀚天天成已针对上述各应用赛道进行研发布局及相关客户储备，可根据不同场景提供定制化碳化硅外延解决方案。与此同时，下游应用整体呈现高压化发展趋势，对碳化硅外延的厚度及质量提出更高要求，外延的技术壁垒与商业价值也同步抬升。伴随下游应用碳化硅渗透率持续攀升、市场规模稳步扩容，叠加多元应用增长红利与行业高压化升级趋势，将为公司经营持续增长构筑有力支撑。
技术攻坚，大尺寸工艺突破
瀚天天成始终将技术创新作为核心驱动力，报告期内持续优化碳化硅外延晶片的核心工艺。在主流产品线上，公司聚焦于外延层厚度均匀性、掺杂均匀性及缺陷密度等关键参数的优化，6英寸及8英寸产品的工艺稳定性显著增强，良率继续保持行业领先水平并在盈利能力上得到充分体现。
在行业多数厂商仍聚焦8英寸工艺优化时，公司已率先推进12英寸碳化硅外延的研发落地及量产进程。继2025年12月全球首发12英寸SiC外延晶片后，瀚天天成持续优化核心工艺参数，将厚度不均匀性控制在≤2.8%，掺杂浓度不均匀性控制在≤2.1%，并于报告期内实现小批量订单突破，进一步巩固了公司在大尺寸SiC外延领域的先发技术优势。
此外，针对下游应用的多元化需求，瀚天天成持续深化特色工艺领域的布局。复合衬底外延、沟槽回填外延、多层外延及超厚外延等前沿技术已完成多轮迭代优化，其中沟槽外延回填技术成功实现更大的深宽比沟槽无空隙回填。相关新技术的落地可有效降低制造成本、提高器件性能、拓宽产品应用领域，目前已获得下游核心客户的广泛关注与认可，为下一代更高性能功率器件的开发提供坚实的技术基础。
产能提速，海内外双线布局
截至2026年6月30日，瀚天天成月产能已超6万片。报告期内，上市募投项目整体推进顺利，各项建设工作有序按照既定计划开展。鉴于8英寸市场需求快速增长，公司正加速推进募集资金项目建设——目前已签订的外延生产设备数量已超过项目规划总量的40%。预计2026年下半年，随着核心生产设备的陆续进厂、安装及调试，公司8英寸产能将得到快速释放，规模化优势有望进一步增强。
6英寸增量快速提升：得益于AI数据中心、新能源汽车及储能等下游需求的旺盛，6英寸产品出货量高速增长。
8英寸快速放量：作为全球首家实现8英寸SiC外延晶片大规模商业供应的企业，瀚天天成的技术先发优势正加速转化为市场份额。2026年上半年，公司8英寸产品销量已超越2025年全年水平，规模化放量趋势显著。
12英寸小批量订单突破：作为全球首家发布12英寸SiC外延晶片的企业，公司于报告期内实现12英寸碳化硅外延晶片的小批量订单突破，市场布局全球领先。
此外，为把握全球AI数据中心、新能源汽车及储能等领域对碳化硅(SiC)功率器件的爆发式增长机遇，推进公司全球化战略布局，增强在全球供应链中的交付能力及国际客户服务水平，瀚天天成积极响应多家国际巨头的邀请，于报告期内正式启动了马来西亚槟城州8英寸SiC外延晶片生产基地的建设工作。
该基地主要生产8英寸碳化硅外延晶片，规划年产能达40万片。该基地产能为公司在厦门基地之外新增布局的海外8英寸碳化硅外延晶片产能，与厦门基地现有及在建8英寸产能相互支撑、共同构成公司8英寸产能布局。
参考来源：瀚天天成半年报
（中国粉体网编辑整理/初末）
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