中国粉体网讯 近日，工业和信息化部等七部门办公厅（办公室）联合发布《关于开展2026年工业和信息化领域创新任务揭榜挂帅工作的通知》，正式启动2026年首批工业和信息化领域创新任务揭榜挂帅工作。本批揭榜挂帅围绕未来产业、装备制造、信息技术、通信、人工智能、消费品6个方向，系统布局24个专题。
本次揭榜挂帅涉及的半导体相关任务覆盖面广、针对性极强，核心涵盖金刚石、碳化硅等宽禁带先进半导体材料，晶圆减薄、磨削、抛光、离子束加工、ALD沉积等核心工艺与高端装备，同时囊括SiC基滤波器、2.5D/3D异质集成、CPO光电共封装、半导体激光加工、先进封装等前沿技术方向，所有任务均设定量化技术标准与量产、工程化落地要求，具备极强的产业落地性。
其中未来产业中原子级制造技术专题作为半导体核心攻坚方向，指出了以下六项攻关任务：
1. 半导体晶圆原子级减薄抛光装备及专用工具
面向先进封装键合晶圆与高端半导体材料原子级高精度加工需求，建立超低损伤减薄、离子束原子级减薄修正与万目金刚石精密磨削核心技术；发展磨抛复合、等离子稳态调控、超细磨料均匀分散与复合结合剂适配关键方法，攻克晶圆高精度加工的工艺难题；突破半导体晶圆原子级减薄抛光高端装备与专用工具的发展瓶颈，实现核心部件与工具的自主研发；形成一体化制造体系、成套工艺与标准化规范，实现超大尺寸超薄晶圆的高精度磨削及原子级平坦化修正，打破国外装备与工艺垄断。
2. 原子束/离子束亚纳米精度抛光修形装备
面向先进逻辑与存储芯片晶圆、超精密光学器件等原子级制造需求，建立原子束/离子束亚纳米精度抛光修形处理及核心模块研制的核心技术体系；发展原子束/离子束源系统集成与精准调控技术，攻克束流生成、传输与精准控制的关键难题；突破传输精度、原子尺度修整工艺、束流生成与损伤控制等技术瓶颈，提升加工精度与产品良率；形成具有自主知识产权的原子束/离子束亚纳米精度表面处理工艺与装备体系，实现大尺寸晶圆原子级加工精度与量产稳定可控；实现大尺寸晶圆原子级加工精度与量产稳定可控，打破国外垄断，填补国内空白。
3.原子层精确集成电路用半导体晶圆级界面调控及实用化器件研制
发展原子/分子级成键调控技术，通过新型界面层在原子层厚半导体与衬底间构筑强化学键；发展晶圆级无损转移或原位集成，实现高强度接合。构建从界面设计、可控键合到工艺集成的原子级制造方法，突破强界面键合及后续微纳加工的兼容性与稳定性难题。形成自主知识产权的晶圆级强界面集成工艺包与可靠性标准，实现与现有产线兼容的功能原型器件制造验证，为下一代信息器件提供核心制造基础。
4.原子级精度离子注入装备
面向7nm及以下先进制程芯片原子级掺杂制造需求，建立单离子控制与探测、原子尺度选区掺杂、原位损伤抑制修复三大核心技术；发展单离子微弱信号捕捉、晶格精准定位、注入损伤实时修复三大关键方法；突破高端离子源、纳米聚焦模块等核心部件的进口瓶颈，实现核心部件的自主研发与制备；形成原子级离子精确调控与确定性植入技术体系及离子注入装备整体方案，实现离子能量、数量与晶格位点植入的原子级精准控制。
5.全链条原子层沉积（ALD）多尺度模拟仿真平台
突破实现自主研发的原子层沉积（ALD）工艺，完成密度泛函理论（DFT）-机器学习力场（MLFF）-分子动力学（MD）/动力学蒙特卡洛（KMC）-数值建模（Model）-宏观偏微分方程（PDE）全链条ALD多尺度数值仿真平台开发，具备原子尺度机理精准解析、宏观沉积过程高效仿真及工艺参数自主优化的一体化能力，实现自动化ALD表面反应网络构建和计算。
6.面向原子态操控的GMOT超结构制造
面向芯片级冷原子量子传感与GMOT工程化应用需求，建立GMOT芯片多物理场仿真与工艺误差影响分析关键技术；突破深紫外光刻与ICP刻蚀协同的亚波长结构原子级加工技术，实现超精细结构的高精度制造；攻克原子层沉积（ALD）与等离子体钝化协同的低应力高反射膜制备技术，满足GMOT芯片的光学性能要求；形成国产化GMOT芯片工艺平台与批量化制造体系，实现高衍射效率、低侧壁粗糙度的核心指标；完成GMOT芯片研制与性能验证，为高端量子传感设备研发提供核心工艺支撑。
参考来源：工信部、未来产链、新云超精
（中国粉体网编辑整理/山林）
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