深耕高比表面积碳化硅制备,他将重磅亮相高纯碳化硅粉体制备大会!


来源:中国粉体网   初末

[导读]  如何突破低比表面积瓶颈,研发高性能高比表面积碳化硅制备工艺,成为全球催化材料领域亟待攻克的核心课题。

中国粉体网讯   碳化硅是由碳和硅组成的共价键化合物,具有类似于金刚石的四面体结构单元,如高机械强度和硬度,可有效提高催化剂的强度,防止催化剂结构坍塌。它具有良好的导热性,可有效分散反应热和有利于催化剂活性组分与载体之间的电子传递。SiC具有良好的化学稳定性,可使催化剂的使用寿命延长,容易循环利用。


凭借得天独厚的理化特性,碳化硅如今已广泛落地半导体、高频晶体管、大功率电力器件、高温传感等前沿赛道,更是一种理想的催化剂载体材料。


尽管碳化硅载体优势显著,但传统工业碳化硅存在致命短板:比表面积不足1m²/g,无法均匀分散催化活性物质,长期以来在催化行业几乎难以规模化应用。如何突破低比表面积瓶颈,研发高性能高比表面积碳化硅制备工艺,成为全球催化材料领域亟待攻克的核心课题。在这条攻坚赛道上,常州大学郭向云教授的科研成果极具代表性。


深耕碳化硅领域,履历丰硕的科研学者


郭向云教授,1967年出生,北京大学化学系毕业,中国科学院山西煤炭化学研究所获博士学位,德国洪堡学者,中科院“百人计划”,目前为常州大学石油化工学院教授。




他数十年深耕高比表面积碳化硅开发,取得多项原创性核心成果:首创碳热还原干凝胶法制备高比表面积碳化硅,全套工艺完成产业化中试,产出粉体比表面积可达60m²/g,性能大幅领跑国际竞品,相关产品国内市场占有率超90%;创新性提出负载型催化剂“金属-载体协同催化”理论,为高选择性加氢催化剂的设计开发开辟全新思路。


学术与成果转化层面,郭向云教授累计发表高水平论文200余篇,获授权国家发明专利30余项,还编撰行业专著《高比表面积碳化硅》,完整梳理该领域基础理论与产业化技术体系。


技术突破,性能指标实现国际翻倍领先


常规商用碳化硅比表面积极低,催化应用价值受限。而国际仅欧洲SICAT、美国Pred Materials两家企业可量产同类高比表面积碳化硅产品,其粉体比表面积仅30m²/g左右。郭向云教授团队自研工艺产出的碳化硅比表面积达到60m²/g,性能为海外同类产品的两倍,技术壁垒优势突出。


早在2018年3月,由其牵头承担的山西省科技重大专项“3吨/年高比表面积碳化硅连续化生产技术”顺利通过项目验收,国内率先实现高比表面积碳化硅连续化稳定量产,核心产品各项关键指标稳居国际领先梯队。


2021年,郭向云教授受邀联合意大利国家研究委员会、中科院大连化物所、欧洲SICAT公司、法国国家科研中心等海内外顶尖机构专家,共同撰写高比表面积碳化硅催化应用综述,文章以封面论文形式刊发于化学领域国际顶刊《Chemical Reviews》,充分彰显其研究成果获得全球学术界高度认可。


前瞻布局,多维度拓展碳化硅应用边界


面向产业未来发展,郭向云教授团队将持续聚焦四大核心研究方向:


深度解析碳化硅载体催化机理,重点挖掘金属-载体协同催化内在作用机制;

研发系列高性能碳化硅基催化剂,适配各类关键化工工业反应场景;

迭代优化碳化硅制备工艺流程,降本增效,推动技术大规模落地;

延伸产业赛道,探索碳化硅在光催化、电催化等新兴清洁能源领域的创新应用。


2026年11月26日,中国粉体网将举办2026全国高纯碳化硅粉体制备技术及应用交流大会。常州大学郭向云教授将受邀参会,并带来题为《高比表面积碳化硅——第三代催化剂载体》的专题报告,分享高比表面积碳化硅制备技术、催化应用实践与行业未来发展方向。


来源:

张同崑.高比表面积SiC的制备及催化应用

常州常大技术转移中心有限公司


(中国粉体网编辑整理/初末)

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