中国粉体网讯 碳化硅作为第三代半导体核心材料，具备宽禁带、耐高压、耐高频、高导热、高温稳定及高折射率等优异性能，在新能源汽车、光伏储能、智能电网、5G通信等高端应用场景中优势突出，是支撑我国半导体产业升级的关键材料。近期，两项聚焦碳化硅关键工艺与装备的团体标准顺利通过立项，将进一步完善产业标准体系，推动行业高质量发展。
《SiC同质外延工艺过程质量控制规范》团体标准立项
依据第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过，由中国电子科技集团第五十五研究所牵头提出的《SiC同质外延工艺过程质量控制规范》团体标准立项。
该标准由中国电子科技集团公司第五十五研究所牵头，联合北京智慧能源研究院、瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司、杭州海乾半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司等单位共同编制。
文件规定了650V～15kVSiCMOSFET和SBD用外延材料工艺过程中的原材料准备、工艺生长、检验检测等。文件适用于650V～15kVSiCMOSFET和SBD用外延材料的生产、工艺过程质量控制、检验和交付依据。
《碳化硅晶锭激光剥离减薄设备通用技术》团体标准立项
同期，由中国电子科技集团公司第二研究所、北京中电科电子装备有限公司等单位联合申报的《碳化硅晶锭激光剥离减薄设备通用技术规范》团体标准，经CASAS管理委员会投票通过，成功立项。
本标准由中国电子科技集团公司第二研究所牵头，北京中电科电子装备有限公司、河北同光半导体股份有限公司、中国科学院西安光学精密机械研究所、广东国志激光技术有限公司、西北工业大学参与编制。针对行业内技术术语不统一、性能评价方法不一致等痛点，标准系统界定了碳化硅晶锭激光剥离减薄设备的专用术语、设备组成与功能、工作条件、技术要求、检测方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存等全维度规范。
文件适用于利用激光改质系统非接触式诱导内部裂纹，进而通过剥离分片系统将SiC晶片从SiC晶锭上分离，并使用减薄系统完成表面磨削加工的设备，设备可用于加工导电型SiC单晶、半绝缘型SiC单晶、光学应用的SiC单晶。
参考来源：第三代半导体产业技术战略联盟
（中国粉体网编辑整理/初末）
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