中国粉体网讯 近日，山东天岳先进科技股份有限公司发布公告，公司已与多方基于未来合作意向签署框架性、原则性协议。
天岳先进是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场份额为27.6%，位居全球第一。
天岳先进是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产的企业之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的企业。资料显示，公司量产碳化硅衬底尺寸已由2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底；2025年，公司围绕12英寸导电型与半绝缘型产品持续推进客户展示、样品验证和技术完善，进一步夯实了在超大尺寸领域的领先位置。
2025年，公司8英寸产品进一步走向主流化应用。根据富士经济数据，公司8英寸产品全球市场份额已超过50%，公司在行业由6英寸向8英寸切换过程中，已完成从“技术领先”向“产品主流化、客户规模化采用”的转变。公司2024年8英寸产品主营业务收入占比30%，2025年进一步提升至44%左右。8英寸产品比重持续提高，不仅说明公司技术路线判断准确，也表明公司已在大尺寸产品的品质、交付和客户验证方面形成较高壁垒。
本次战略合作是为充分发挥各方在各自领域的优势，深化战略协同，围绕碳化硅产业链开展项目、业务、资本合作。合作方一主要从事碳化硅芯片研发、生产及相关半导体业务；合作方二主要从事电力科技、功率半导体相关资产运营与产业配套；合作方三主要从事汽车系统及零部件研发、生产与市场推广；合作方四主要从事产业投资、战略资本运作。
当前，国内碳化硅（SiC）产业链正处于快速发展期，亟需上下游协同，提升自主可控能力与整体竞争力。天岳先进表示，合作五方在新能源汽车、半导体、先进制造、产业投资领域分别拥有技术、产能、市场、资本及政府资源优势，具备高度互补性。公司希望通过深度战略绑定，打通材料、芯片、车规应用、产能扩张、资本支持全链条，共同抢抓行业机遇，协同推进8英寸碳化硅芯片生产线项目落地与政策支持，快速提升芯片产能，从而推动碳化硅全产业链自主可控与规模化、高质量发展。
此次战略合作协议的签署，将有助于巩固天岳先进在碳化硅衬底领域的产业地位，进一步完善上下游协同，拓展市场应用场景，提升综合竞争力，符合公司长期发展战略。
来源：天岳先进公告、2025年年报
（中国粉体网编辑整理/初末）
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