中国粉体网讯 天域半导体发布业绩预告，截至2025年12月31日止年度，集团预期于2025年财政年度录得净亏损约人民币5500万元至人民币6500万元，较截至2024年12月31日止年度的净亏损约人民币5.003亿元，亏损大幅减少约87%至89%。
董事会认为，净亏损同比大幅减少主要由于2025年财政年度并无录得2024年财政年度确认的重大一次性存货撇减拨备约人民币3.151亿元，加上集团业务增长导致整体收入同比增加约人民币1.90亿元。
来源：天域半导体
据悉，广东天域半导体股份有限公司于2009年成立于广东省东莞市，是国内首家碳化硅外延企业，同时也是国内首家获得汽车质量管理体系认证的碳化硅外延片的制造商。公司专注于碳化硅外延片产业化并进行研发，通过自主研发，已掌握生产600–30000V单极型及双极型功率器件所需整个碳化硅外延片生产周期的必要核心技术及工艺。该等器件最终用于新能源行业、轨道交通、智能电网、通用航空及家电等行业。
在产能提升方面，2025年12月19日，天域半导体在东莞松山湖生态园新生产基地举行通线仪式，全面投产后年产能将提升至80万片碳化硅外延片。此次产能扩容不仅让天域半导体进一步巩固中国最大自制碳化硅外延片制造商的行业地位，更标志着中国碳化硅外延产能迈入全新量级。目前，公司已在东莞形成松山湖北部总部基地与生态园新基地的双核布局，能够高效响应市场从 6 英寸到 8 英寸的碳化硅外延片产品需求，为下游新能源汽车、光伏储能等产业发展提供充足的材料保障。
此外，天域半导体积极展开技术与产业合作。2026年1月16日，天域半导体及青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司签订战略合作协议。双方同意建立战略合作，凭借天域半导体在碳化硅材料领域的优势及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力，共同开展键合材料（包括键合碳化硅（bondedSiC）、绝缘体上硅（SOI）、绝缘体上压电基板（POI）、超大尺寸（12英寸及以上）SiC复合散热基板）的工艺开发与技术迭代。
2月，天域半导体与韩国第三代半导体领军企业EYEQLabInc.正式签署战略合作协议。双方称将聚焦碳化硅（SiC）外延片的供应与应用，建立长期稳定的战略合作伙伴关系，携手完善全球第三代半导体供应链布局。
来源：界面新闻、创新松山湖、天域半导体
（中国粉体网编辑整理/初末）
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