中国粉体网讯 超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质，在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求，目前P型金刚石半导体的制备工艺相对成熟，主要是在金刚石的生长过程中引入B原子，而n型掺杂难度大。制备高质量的p型和n型金刚石是研究者关注的焦点。
近年来，化合积电成功推动硼掺杂单晶金刚石稳定供货，更重磅推出氮掺杂单晶金刚石新品，积极响应国内外科研团队在金刚石器件前沿探索中对高质量单晶金刚石的迫切需求。
氮掺杂单晶金刚石（n型掺杂）集超高热导率、高纯度NV中心、低缺陷晶体层等核心性能于一体，可广泛应用于高功率电子、量子信息、生物成像与高端光子学等领域。化合积电在氮掺杂单晶金刚石的技术研发上持续发力，已实现浓度可控、可定制化的氮掺杂工艺，匹配客户对电学、量子及光学性能的严苛需求。
氮掺杂单晶金刚石样品
在硼掺杂方面，化合积电成功实现硼掺杂单晶金刚石从浓度（1015 cm-3）到高浓度掺杂（1020 cm-3）大范围调控，产品已通过技术验证并稳定交付。公司也将持续迭代金刚石的掺硼性能，推进p型金刚石的突破，为金刚石器件研发与应用打开无限可能。
硼掺杂单晶金刚石
化合积电（厦门）半导体科技有限公司成立于2020年11月，是一家专注于宽禁带半导体衬底材料和器件的研发、生产和销售的高科技企业，致力于成为全球领先的宽禁带半导体材料和器件制造商，汇聚了来自全球半导体领域的顶尖科学家和资深工程师组成的科技创新队伍，开展相关领域前沿科学研究与关键核心技术攻关，为我国破解“卡脖子”难题贡献自身力量。公司主要产品包括：晶圆级金刚石衬底、金刚石热沉片、GaN on Diamond、Diamond on GaN、硅基氮化铝、蓝宝石基氮化铝、金刚石基氮化铝等。
部分产品图，图源：化合积电
化合积电通过持续的产品创新，大幅加速了金刚石器件的研发与应用进程，为突破传统半导体瓶颈提供了核心支撑。未来，化合积电将持续深耕金刚石技术创新，以更前沿的技术研发、更优质的产品供给，持续赋能金刚石半导体研究与产业化落地，为金刚石半导体研究进程注入源源不断的强劲动能！
参考来源：
1.化合积电官网
2.牛科研等：单晶金刚石p型和n型掺杂的研究
（中国粉体网编辑整理/石语）
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