中国粉体网讯 4月26日，由中国粉体网主办的“第三届半导体行业用陶瓷材料技术研讨会暨第三代半导体SiC晶体生长技术交流会”在江苏苏州圆满落幕。昨日13位专家大咖与大家分享了各自的研究成果和研发生产经验，令人受益匪浅，今天的报告同样精彩！
洪若瑜研究员首先介绍了碳化硅特性和应用领域，分析了碳化硅粉体的市场情况，并对碳化硅粉体的制备方法进行了综述。最后，洪若瑜研究员介绍了其所在团队从九十年代至今三十年来的工作情况和取得的进展。
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福州大学洪若瑜研究员作《高纯碳化硅的生产与应用》报告
李辉副研究员详细介绍了高温溶液法生长SiC单晶的优势，并对中国科学院物理研究所最近在液相法生长SiC单晶的研究进展进行了介绍。她表示，高温液相法有望成为继PVT法之后制备尺寸更大、结晶质量更高且成本更低的SiC单晶的方法。
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中国科学院物理研究所李辉副研究员线上作《液相生长碳化硅单晶研究进展》报告
傅仁利教授介绍了先进电子封装中应用的陶瓷材料及其封装技术，重点介绍了陶瓷基板的流延成型工艺和金属化技术，分析了基于陶瓷基板的微电子封装技术的发展现状和技术特点。
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南京航空航天大学傅仁利教授作《基于陶瓷基板封装的几个关键技术》报告
近些年，SiC单晶整个产业链在不断发展，“四高两涂”也不断为SiC单晶生产链提供高纯原料和耗材的配备。戴煜董事长详细介绍了第三代半导体生产用“四高两涂”碳基材料及装备的技术现状，并分享了顶立科技研究团队近年来在此领域的研究进展。
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湖南顶立科技股份有限公司戴煜董事长作《第三代半导体用“四高两涂”材料及装备的技术现状与展望》报告
在碳化硅晶体切割过程中，晶体切割技术与过滤技术相结合，可有效地去除切割产生的微小颗粒，提高切割质量和效率。孙作青总经理就碳化硅晶体切割过滤设备及工业自动控制系统、技术服务领域进行了详细介绍。
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江苏宇佳智能装备有限公司孙作青总经理作《碳化硅晶体切割中的高效亚微米
在线过滤技术》报告
半导体器件碳化物涂层化学气相沉积设备是一种重要的半导体器件制造设备。纪相权副总经理介绍了企业主营产品及研发实力，针对半导体器件用设备进行了阐述。
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浙江晨华科技有限公司副总经理纪相权作《半导体器件碳化物涂层化学气相沉积设备》报告
徐永宽副院长分别就PVT法、TSSG法、HTCVD法等碳化硅单晶生长方法的原理、特点、发展现状进行介绍，分析各种生长方法面临的问题，并从单晶生长工艺角度提出了对碳化硅单晶生长设备和关键原辅材料的需求，最后简单介绍了近期的研究工作进展。
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天津理工大学功能晶体研究院徐永宽副院长作《碳化硅单晶生长方法及面临的挑战》报告
晚宴盛况
4月25日，中国粉体网举办了答谢晚宴。晚宴现场高朋满座，主办方为各位与会专家、企业代表准备了精彩的文艺表演和游戏互动节目。
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中国粉体网会展事业部总经理孔德宇先生晚宴致辞
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晚宴现场
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文艺表演
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互动节目获奖嘉宾合影
第三届半导体行业用陶瓷材料技术研讨会暨第三代半导体SiC晶体生长技术交流会已圆满落幕。新国际形式下，中国半导体产业要想加速国产化，就需要在多个环节、多方面协调发展。本次会议不仅为半导体和陶瓷行业搭建了一个有效的沟通平台，也推动了SiC晶体生长技术的交流与合作，为行业的发展注入了新的活力。
（中国粉体网苏州报道/空青）
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