4英寸半绝缘型衬底技术成果零微管密度控制技术单一晶型控制技术包裹物控制技术电阻率控制技术杂质调控技术衬底台阶宽度控制技术直径99.5mm-100.0mm晶型4H厚度500μm±15μm晶片方向无偏转角度：向<0001>偏转±0.5°微管密度≤1cm-2电阻率≥1E10Ω·cm主定位边方向{10-10}±5.0°主定位边长度32.5mm±2.0mm次定位边长度18.0mm±2.0mm次定位边方向硅面朝上：从主定位边顺时针旋转90°±5.0°边缘去除3mm局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度≤2.5μm/≤5μm/≤15μm/≤30μm表面粗糙度抛光Ra≤1nmCMPRa≤0.2nm边缘裂纹（强光灯观测）——六方空洞（强光灯观测）累计面积≤0.05%多型（强光灯观测）——目测包裹物（日光灯观测）累计面积≤0.05%硅面划痕（强光灯观测）——崩边（强光灯观测）不允许宽度≥0.2mm，深度≥0.2mm硅面污染物（强光灯观测）——包装多片卡塞/单片盒包装半绝缘碳化硅衬底是半绝缘碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过异质外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。为满足客户对4英寸产品的需求，公司为国内外客户批量提供具有高性价比的4英寸半绝缘型衬底产品。下游产品与应用通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓异质外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，通过晶圆制造、封装检测，可进一步制成微波射频器件，主要应用于射频领域，例如5G通讯、相控阵雷达、无线电探测器等。