磷化铟缺陷

推荐深度揭秘：磷化铟的“缺陷”有什么秘密？

中国粉体网讯 InP是重要的III-V族化合物半导体材料之一，InP单晶首先是由Mullin于1965年用高压液封直接法拉制成功的。进入20世纪70年代后期，以InP单晶为衬底制作的长波长激光器首次实现室温下激射后，InP单[更多]