中国粉体网讯 在晶圆制造的溅射工艺中,钨凭借高熔点、低电阻率、抗电迁移的特性,是栅极、阻挡层、互连层结构的核心成膜材料。随着先进制程节点持续推进,芯片线宽不断缩小,对溅射靶材的纯度要求也从5N(99.999%)逐步抬升至6N[更多]
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