中国粉体网讯 随着新能源汽车、射频通信、高性能算力产业快速扩张,以 GaN、β-Ga2O3为代表的宽禁带、超宽禁带功率器件持续向高频化、小型化、高功率密度迭代。器件单位面积热流密度不断攀升,局部热点热通量突破千瓦每平方厘米级[更多]
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