中国粉体网讯 碳化硅作为第三代半导体材料,相比传统的硅(Si)基器件,具有更宽的禁带宽度、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速度和更低的导通阻抗,使其在高压、高温和高频应用中表现出色,能量损失大幅降低,效率显著提高。减薄是碳化[更多]
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