泽攸科技原位TEM

推荐Advanced Materials | 泽攸科技原位TEM助力突破三维存储选择器超低漏电流性能瓶颈

存储芯片集成密度的提升对于大容量存储和并行计算至关重要，这要求三维叠层交叉点架构中的选择器组件具备极低的漏电流和适当的阈值电压。目前三维相变存储器主要利用双向阈值开关选择器控制存储单元的通断，其访问性能直接影响芯片的面积效率[更多]