氮化铝镓

推荐下一代功率电子材料--AlGaN

中国粉体网讯 到目前为止，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为功率电子器件晶体管的半导体材料的研发已经取得进展，并且已经开始实用化。通常由轻元素构成的半导体的介电击穿电阻较高，但是如果将GaN中的一部分Ga替换为较轻的Al[更多]