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产品详情
碳化硅SiC激光隐切设备
碳化硅SiC激光隐切设备的图片
参考报价:
面议
品牌:
晶瓴半导体
关注度:
21
样本:
暂无
型号:
碳化硅SiC激光隐切设备
产地:
江苏
信息完整度:
典型用户:
暂无
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认证信息
 
名 称:苏州晶瓴半导体有限公司
认 证:工商信息已核实
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产品简介

SiC晶体的切片方法有:砂浆线切割、金刚线切割,以及激光隐切。其中,激光隐切技术将高能量脉冲激光束聚焦在SiC晶体内部,在设定深度处形成微小裂纹,然后通过面内扫描形成一个裂纹层,*后沿着该裂纹层剥离出晶片。与传统线切割方法相比,激光隐切具有剥离速度快,切割损耗低,可切割超薄晶片,以及切割成本低等优点。随着SiC晶锭尺寸变大,尤其是8寸和12寸,激光隐切技术在SiC晶片加工中的优势更为明显。

空间光调制算法

任意加工深度的球差矫正;

可多束分光;

兼容SiC/GaN/Ga2O3/金刚石等多种材料

超快激光与光路

稳定可靠的光路结构;

7×24小时连续工作;

有效的温漂抑制与补偿

复合运动平台

可重复定位精度 < 1μm;

实时高度补偿;

融合激光控制与光谱成像

参数表

分类项目参数
外观主机尺寸1500(L) X 1300(W) X 1800(H)
整机重量~1.2T



基本参数与控制方法可加工尺寸12寸 / 8寸 / 6寸
激光功率0.5~50W
脉冲激光器寿命20000小时(正常工作时间)
X/Y/Z轴行程350mm/400mm/45mm
Y轴速度、加速度500mm/s / 4000mm/s²
单片扫描时间21min (6寸);33min(8寸);47min(12寸)
测高精度0.7μm
聚焦深度控制表面预扫描,加工时动态调整聚焦深度
球差矫正深度300μm / 350μm / 400μm / 450μm / 500μm / 550μm
“小面”加工“小面” 光谱成像,自动分区差异化加工
晶体损耗晶锭侧+晶片侧,总损耗厚度<100μm
厂务要求总电源220V,5kW,50Hz
冷却水压力:~0.1MPa;流量:~7L/min;温度:18~25℃
压缩空气压力:>0.45MPa;流量:<0.1L/min



选型

 

型号可加工尺寸价格(含税)货期
L088寸/6寸/4寸196万1周
L1212寸/8寸199万4周

 

 


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