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半导体行业专用仪器
OAI Model 212紫外光刻机
OAI Model 800E紫外光刻机
OAI掩膜光刻机Model 6000
Model 6020S紫外光刻机
URE-2000/35A型紫外单面光刻机
URE-2000B型紫外单面光刻机
ZEP520A电子束光刻胶
AZ 1500系列i线光刻胶
德国ALLRESIST导电胶AR-PC5090和AR-PC5091
英国EM SML Resist电子束光刻胶
光学仪器及设备
海德堡μMLA桌面无掩模光刻机
OAI UV Led光源
URE-2000/35AL型紫外单面光刻机
URE-2000/30型紫外单面光刻机
URE-2000S/35L(B)型双面光刻机
URE-2000S/35L(A)型紫外双面光刻机
URE-2000S/25S型双面光刻机
URE-2000S/A8型紫外双面光刻机
URE-2000S/A型紫外双面光刻机
URE-2000S/B型紫外双面光刻机
其他
美国NanoArch陶瓷树脂精密3D打印机MicroArch S240
日立Hitachi离子溅射仪MC1000
英国Nanomagnetics振动样品磁强计VSM
英国HHV溅射镀膜仪BT150,BT300
法国Plassys微波等离子体化学气相沉积系统SSDR 150
法国Alyxan高分辨质子传递反应质谱PTR-FTICR MS
德国Sentech光伏测量仪MDPspot
德国Sentech光伏测量仪MDPmap
德国Sentech光伏测量仪器MDPpro
MDPinlinescan在线寿命和电阻率逐行扫描仪
制样/消解设备
NIE-4000离子束刻蚀系统
牛津Oxford等离子体刻蚀机PlasmaPro 80 RIE
美TED Pella高分辨离子溅射仪208HR
美TED PELLA自动离子溅射仪108AUTO
PDC-002美国Harrick扩展型等离子清洗机
PDC-32G-2美国Harrick基本型等离子清洗机
德国Diener等离子清洗机Nano
德国Diener等离子清洗机Zepto
德国Diemer等离子清洗机Femto
德国Diener等离子清洗机
分子生物学仪器
IZON qEV尺寸排阻柱
德国Kruss液滴形状分析DSA25
等离体共振分析仪MP-SPR Navi 220A
Micro Pulser电穿孔仪
英国Cleaver高分辨率垂直电泳系统CSQ20
瑞士罗氏Roche全自动核酸纯化仪MagNA
英国CLEAVER水平电泳系统Horizontal Gel
台式钙流检测工作站FlexStation 3
美国Molecular光吸收型酶标仪SpectraMax 190
美国Sciex遗传分析系统GenomeLab GeXP
清洗/消毒设备
美国必能信Branson台式超声波清洗机CPX1800-8800系列
美国Uvitron全功能紫外面光源Intelli-RAY 400W
紫外线杀菌消毒台灯QD-UV-01
英国Glovebox学术手套箱Academic
英国Glovebox真空室手套箱
PDC-MG美国Harrich高集成度等离子清洗机
美国Uvitron紫外面光源INTELLI-RAY 400W
英国AMBA曝光灯AM7977X,AM11353X(AM7000)
SUSS苏斯光刻机用曝光灯HBO 200W/DC ,HBO 350W/S,
P-Laser激光清洗系统
光谱检测分析仪
曰立Hitachi塞曼原子吸收光谱仪ZA3000
德国neaspec纳米傅里叶红外光谱仪nano-FTIR
美Thorlabs傅立叶红外光谱仪OCS201C,OCS202C,OCS203
德国Bruker ALPHA II FTIR傅立叶变换近红外光谱仪
德国Bruker FT-NIR光谱仪Tango,MPA,Matrix-I
BRAVO手持式拉曼光谱仪
日本JEOL X射线荧光光谱仪JSX-1000S
Dimension FastScan德国BRUKER原子力显微镜AFM
比表面积测定仪
英国MML纳米压痕仪NanoTest Vantage
Kla纳米压痕仪G200,G200X,iMicro
接触角测定仪JY-PHa
德国KRUSS标准型接触角测量仪DSA25
100标准型接触角测量仪/Contact angle measuring dev
100S接触角测量仪
德国Mecwins扫描式激光分析仪SCALA
色谱仪
法SEBIA全自动毛细管电泳仪Capillarys 3 OCTA
LTQ Orbitrap XL ETD液质联用系统
赛默飞Themo Scientific液相色谱系统Vanquish UHPLC
集成型毛细管离子色谱ICS-40
模块化气相色谱仪TRACE 1300
赛默飞多功能离子色谱ICS-5000
X射线仪器
日本Rigaku智能多功能X射线衍射仪Smartlab SE
日本理学XRD X射线多晶衍射仪SmartLab
日本理学台式XRD X射线衍射仪Miniflex 600
德国YXLON高分辨率X射线检测设备-平板探测器
临床检验仪器设备
美国PerkinElmer多功能液闪/发光分析仪MicroBeta
Molecular读板机SpectraMax iD5
无损检测/无损探伤仪器
美国SONIX超声波扫描显微镜ECHO-VS, ECHO Pro
英国AML邦定机AWB 04 & 08 Platform
生物工程设备
DSA100德Kruss液滴形状分析仪
瑞士Cytosurge注入器iyFluidFM BOT
微生物检测仪器
新西兰IZON外泌体分离鉴定系统qNano
Thermo Scientific微生物培养箱Precision
质谱检测分析仪
TSQ Fort三重四极杆质谱仪
磁学测量仪器
美Quantum Design多铁材料磁电测量系统Super-ME-II
激光粒度仪
美SD粒子碰撞噪声检测仪4511A、4511L、4511M4、4511M6
波谱仪器
英国Oxford实验室用智能核磁共振波谱仪Pulsar
细胞生物学仪器
美国Bd单细胞分析系统Rhapsody TM
气体检测仪
日本A&D粒子计数器(粒度计)SV-1A
成像系统
ImageXpress Pico自动细胞成像
联系方式 |
产品系列
英国AML 邦定机AWB 04 & 08 Platform
AWB具有执行对齐功能:
阳极,共晶,直接(高温和低温)玻璃熔块,粘合剂,焊料和热压晶片焊接。
新的“无粘合剂”临时粘接
在一台机器上对中和粘接
?In-situ 对齐 accuracy. 1 微米
?10-6mbar Vacuum 2 条 过程 ?特高压选项
?Voltage 2.5 kV.
?Temperature 560 ° C.
?Forces 40 kN.
结合 周期 / 高 throughput. ?Market ** 快
2 “ 8 ". ?Wafer 大小
In-situ UV cure.
自动PC控制和数据采集
实时控制所有键参数或全自动配方。所有的键合参数,如电流、电压、集成电荷、温度、室压、力、晶圆分离、运行参数、配方、SPC晶圆批号、事件日志等,都自动存储在文件中,用于图形绘制和趋势分析。机器也可以联网,并由AML远程询问,以帮助发现故障。全自动配方,包括在生产环境中自动对齐除雾操作。
对齐方式:
手动和自动对齐。原位对齐比其他焊接(在粘结室外进行对齐)具有优势。'一键'对齐和键合。可见光和红外光谱。广泛间隔的三维对齐标记的图像捕获。
校准可进行热或冷:
这消除了由于热膨胀和晶圆片、机器部件和压板之间的不匹配而导致的对准误差。
大晶片分离:
允许晶圆片之间存在较大的温差,这是通过工艺气体(如成形气体)更好地活化或原位氧化还原晶圆片的理想选择。也允许快速,高真空和良好定义的焊接环境。
现场系统:
还可以在粘接过程之前直观地确认所需的对齐仍在进行中。
晶片尺寸:
2 ", 3", 4", 5 ", 6 "和8 "。(芯片和形状奇怪的基板,但没有对齐)。
机械手:
使晶圆片在真空和高温下能够原位对准。
接触力:通过手动或电动液压提供,**可达40kN。
精密晶圆平行度调整。
1μm对准精度。
光学:
双显微镜-通过镜头照明的照相机系统。两个CCD相机并排显示图像。包括红外功能。同时显示晶圆片的分离力和键合力,实现对中控制。
成键
环境:
真空,或工艺气体。全自动干式涡轮泵送系统~ 1x10- 6mbar至2bar**压力。特高压选项
温度:
上下压板均可独立调节,在1°C的步骤。加热和冷却速度可编程。**温度是560℃。
电极(阳极键合):
全尺寸加热板,用于上下电极,以获得更好的粘结均匀性。0-2.5千伏直流可达40毫安。恒流或恒压运行,改善过程控制和应力管理。
AWB-04可以粘合3到6英寸的晶圆片和芯片
AWB-08可以粘合6英寸和8英寸的晶片
其他选项:
?Auto alignment.
?Triple 堆栈 结合 tool.
?Powered lid.
?Pressure control.
?CMOS compatible.
?High 精度 系统 1 μm alignment.
低温 激活 bonding. ?RAD 工具
?In-situ UV Cure.
?Motorised X, Y, ? & Z movement.
?Image capture.
?Process support.
AML - AWB 04 & 08 Platform
The AWB has the versatility to perform aligned:
Anodic, Eutectic, Direct (High & Low Temperature) Glass frit, Adhesive, Solder & Thermo-compression wafer bonding.
New 'Adhesive free' temporary Bonding
Alignment & bonding in one machine
?In-situ alignment 1 micron accuracy.
?10-6mbar Vacuum to 2bar process gas. UHV Option
?Voltage up to 2.5kV.
?Temperature up to 560° C.
?Forces up to 40kN.
?Market leading fast bonding cycle times / high throughput.
?Wafer sizes 2"- 8".
?In-situ UV cure.
Automatic PC Control & Data acquisition
Live control of all bond parameters or fully automated recipes. All the bonding parameters e.g. current, voltage, integrated charge, temperature, chamber pressure, force, wafer separation, run parameters, recipes, wafer batch No for SPC and event logs are automatically stored in files for graph plotting and trend analysis. Machines can also be networked and remotely interrogated by AML to aid fault finding. Fully automatic recipe, including auto alignment to deskill operation in a production environment.
Alignment:
Manual and auto alignment. In-situ alignment has advantages over other bonders (where alignment is made outside the bond chamber).‘One click’ align and bond. Visible and IR. Image capture for widely spaced 3D alignment marks.
Alignment can be carried out hot or cold:
This eliminates alignment inaccuracies due to thermal expansion & mismatch between wafers, machine parts & platens.
Large wafer separation:
Allows large temperature difference between wafers – ideal for better activation or in-situ oxide reduction via process gas e.g. forming gas. Also allows fast, high vacuum & well defined bonding environment.
In-situ system:
Also enables visual confirmation just before the bonding process that the desired alignment is still being achieved.
Wafer sizes:
2”, 3", 4", 5”, 6” & 8”. (Also chips & odd shaped substrates, but without alignment).
Manipulator:
Enables in-situ alignment of wafers under vacuum and at elevated temperature.
Contact force: up to 40kN provided via manual or motorised hydraulics.
Precise wafer parallelism adjustment.
Alignment accuracy 1 μm.
Optics:
Twin Microscope – camera system with throughthe-lens illumination. Two CCD cameras and side-by-side display of images. Including IR capability. Simultaneous display of wafer separation & bonding force for complete alignment control.
Bonding
Environment:
Vacuum, or process gas. Fully automated dry turbo pumping system ~ 1x10-6 mbar to 2bar absolute pressure. UHV option
Temperature:
Both Upper & Lower Platens independently adjustable in 1 °C steps. Heating & Cooling rates are programmable. Max Temperature is 560°C.
Electrodes:(for Anodic Bonding)
Full size heated platens for both upper andlower electrodes for better bond uniformity. 0-2.5 kV DC up to 40 mA. Constant current or voltage operation, for improved process control & stress management.
The AWB-04 can bond 3” to 6” wafers and chips
The AWB-08 can bond 6” and 8” wafers
Additional Options:
?Auto alignment.
?Triple stack bonding tool.
?Powered lid.
?Pressure control.
?CMOS compatible.
?High accuracy system for 1μm alignment.
?RAD tool for low temperature activated bonding.
?In-situ UV Cure.
?Motorised X, Y, ? & Z movement.
?Image capture.
?Process support.