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产品描述
PECVD管式炉,等离子体增强化学汽相沉积管式炉
PECVD 系统的设计是为了降低传统化学气相沉积的反应温度。在传统化学气相沉积前面安装射频感应装置,电离反应气体,产生等离子体。等离子体的高活性是由于等离子体的高活性加速了反应的进行。这个系统叫做 PECVD。
该型号是博纳热**产品,综合了大多数 PECVD 炉系统的优点,在 PECVD 炉系统前增加了预热区。试验表明,沉积速度快,膜层质量好,孔洞少,不开裂。配备AISO 全自动智能控制系统,操作方便,功能强大。
PECVD 炉的应用范围很广: 金属膜、陶瓷膜、复合膜、各种膜的连续生长。易增加功能,可扩展等离子清洗蚀刻等功能。
PECVD管式炉特点
高薄膜沉积速率: 采用射频辉光技术,大大提高了薄膜的沉积速率,沉积速率可达1000s.
高面积均匀性: 先进的多点射频送料技术、特殊气路分布、加热技术等,使薄膜均匀性指数达到8%.
高浓度: 使用先进的设计概念的半导体产业,一个沉积基板之间的偏差小于2%.
高过程稳定性: 高度稳定的设备确保了连续和稳定的过程。
PECVD管式炉标准配件
插管4支
炉管1根
真空泵1件
真空密封法兰2套
真空计1件
气体输送和真空泵
射频等离子体设备
可选配件
快卸法兰,三通法兰
7英寸高清触摸屏
PECVD管式炉图片
PECVD管式炉技术规格
一、技术参数 | |
型号 | BR-PECVD-500A |
加热长度和恒温区长度 | 440mm, 200mm |
炉管尺寸 | Ф100x1650mm (炉管直径可根据实际需要定制) |
**工作温度 | 1200 oC (<1小时) |
长期工作温度 | ≤1100℃ |
电压及额定功率 | 单相,220V,50Hz |
控温方式
| 51段可编程控温,PID参数自整定, 操作界面为10”工控电脑,内置PLC控制程序, 可将温控系统、滑轨炉滑动(时间和距离)设定为程序控制。 |
控温精度 | ± 1 oC |
温度均匀度 | ± 5 oC |
加热速率 | ≦20 oC /分钟 |
热电偶 | K型 (热电偶保护管为纯度 99.7%的刚玉管) |
加热元件 | HRE电阻丝 |
真空度 | 工作真空度10-2 Pa (冷态及保温) 极限真空度10-3 Pa (极限真空度) |
炉膛材料 | 氧化铝、高温纤维制品 |