​尽管大多数科学家都清楚地意识到：将 BET 方法应用于微孔吸附剂在本质上是错误的，但我们也必须承认：即便在我们知道或怀疑材料中存在微孔的情况下，多年来大家仍习惯性地使用这一流行方法。它之所以广受欢迎，很可能与其最终给出了一个“比表面积”这一量值有关——该量纲通常以 m² 表示，易于理解、想象，也便于

​共价有机框架（COFs）材料作为一类由有机分子通过共价键连接形成的晶态多孔材料，凭借孔道稳定可调、超高的比表面积及优异的化学稳定性，在气体吸附分离、催化、储能等领域展现出不可替代的应用价值。COFs材料的性能评估（如气体吸附容量、催化活性位点利用率）与材料的比表面积和孔径分布等参数直接相关。国仪量子

​摘要：分子筛材料因其规则的微孔结构与优异的吸附与分离性能，被广泛应用于催化、能源、环保和石油化工等领域。精准表征其孔径分布与比表面积对材料研发与工业应用至关重要，然而其孔径范围窄、对吸附气体敏感、预处理要求严格，使得分析难度较高。国仪量子SiCIPE40微孔分析仪凭借高真空设计、全流程无空气接触测试

​1.背景甲烷（CH₄）作为一种重要的清洁能源载体和工业吸附质，在气体储存、碳捕获与封存（CCS）、燃料电池等领域具有广泛的应用前景。其动力学直径约为0.38 nm，介于N₂（0.36 nm）和Ar（0.34 nm）之间，能够有效进入中孔（2-50 nm）和部分微孔（<2 nm）结构，是评估介孔

​01 氪气（Kr）1.1 核心问题：氮气的局限性物理吸附测试的本质是测量气体分子在材料表面的吸附量，然后通过理论模型（如BET）计算出比表面积。对于高表面积材料（如活性炭、沸石，> 50 m²/g）：氮气分子在其表面能形成可观的吸附层，产生的压力变化信号强，信噪比高，测量结果非常准确。对于低表

​多孔吸附剂因其丰富的多孔结构、较高的比表面积和优异的吸附性能，在环境净化、能源存储和催化转化等领域扮演着重要角色。比表面积及孔径分布作为表征多孔吸附剂性能的关键指标，其精准测量一直是材料研发与工业质控的核心需求。本文将结合国仪量子SiCOPE 40微孔分析仪的实际测试案例，详细阐述SiCOPE 40

​摘要：白炭黑，作为一种性能优异的多孔吸附剂与补强材料，其复杂的多孔结构、高比表面积和卓越的吸附性能，在橡胶工业、涂料、牙膏磨砂剂、食品添加剂及环境保护等领域扮演着不可或替代的角色。比表面积和孔径分布作为白炭黑性能的关键物理参数，其精准测量一直是材料研发与工业质控的核心需求。本文将结合国仪量子Clim

​近日，2025 年诺贝尔化学奖公布，授予北川进（Susumu Kitagawa）、理查德·罗布森（Richard Robson）和奥马尔·亚吉（Omar Yaghi），以表彰“他们对金属-有机框架的发展”。三位获奖者创造了一种具有巨大空间的分子结构，使气体和其他化学物质能够在其中流动。这些结构被称为

​1.背景与氮气（动力学直径0.36 nm）和氩气（动力学直径0.34 nm）相比，二氧化碳分子具有更小的动力学直径（约0.33 nm），能够更有效地进入超微孔结构（孔径<0.7 nm），获取更为精确的微孔信息。这一特性使CO₂成为研究活性炭、分子筛、金属有机框架材料（MOFs）等微孔发达材料的

​等量吸附热（Isosteric heat of adsorption）是表征材料表面非均质性的关键参数，可揭示吸附剂特性及其吸附能力。它不仅能反映吸附质与孔壁相互作用的强弱，还能为碳捕集与封存（CCS）等应用提供更可靠的性能判断。01如何测定以国仪量子微孔分析仪Sicope40为例，为获取该参数，测

​在"双碳"战略目标引领和产业升级需求的双重驱动下，我国氧化铝行业正处于从"规模扩张"向"质量提升"转型的关键时期。氧化铝作为铝工业的核心原料和重要的战略性矿产资源，不仅承担着支撑电解铝生产的基础功能，更在新能源材料、高端陶瓷、催化环保等新兴

​在钠离子电池大规模产业化的进程中，硬碳因储量丰富、成本低、导电性良好、储钠容量高、环境友好和低氧化还原电位等优点，被认为是最可能率先实现工业化的钠离子电池负极材料。但由于硬碳结构复杂且具有多孔隙、较大的比表面积和缺陷，仍面临着首次库仑效率低、倍率性能差等问题。大量的研究表明，硬碳材料不同的孔结构（超

​01什么是扫描NV探针显微镜（SNVM）？扫描NV探针显微镜（SNVM）是一款结合了金刚石氮-空位色心（NV）光探测磁共振（ODMR）技术和原子力显微镜（AFM）扫描成像技术的量子精密测量仪器，可实现对样品高空间分辨率、高灵敏度、定量无损的磁成像。近年来，科学家利用SNVM在反铁磁、石墨烯、磁性斯格

​背景热对流效应是低压气体系统中由温度梯度引发的重要物理现象。考虑一个由细管连接两个容器组成的封闭系统，两个容器（编号为1和2）保持在不同温度T₁、T₂下。当系统中气体压力较高时，根据流体力学定律，系统中任何地方的压力都相同。随着压力逐渐降低，当连接管直径d与气体分子平均自由程λ达到相同数量级时，就进

​1.背景在材料科学的研究与应用中，比表面积和孔径分布是决定多孔材料性能的关键物理参数。对于微孔材料（<2 nm）和表面化学性质特殊的材料（如石墨烯），传统的氮气吸附法可能不再适用，而氩气（Ar）作为吸附质的气体吸附静态容量法则展现出其独特优势。值得一提的是，我国已于2023年10月1日实施了

​为突破传统石墨负极性能瓶颈，硅基负极凭借 4200mAh/g 的理论比容量成为关键方向，化学气相沉积（CVD）技术因可实现硅在碳基质上均匀沉积、构建稳定硅碳界面，成为硅碳负极产业化核心工艺路线。多孔碳材料作为 CVD 硅碳负极的 “骨架核心”，其比表面积与孔隙结构等性能直接影响复合材料电化学性能和产

​国仪量子电镜在芯片金属栅极刻蚀残留检测的应用报告一、背景介绍 在芯片制造工艺中，金属栅极刻蚀是构建晶体管关键结构的重要环节。精确的刻蚀工艺能够确保金属栅极的尺寸精度和形状完整性，对芯片的性能和可靠性起着决定性作用。然而，刻蚀过程中不可避免地会产生刻蚀残留，这些残留物质可能是未完全刻蚀掉的金属材料、刻

​国仪量子电镜在芯片后道 Al 互连电迁移空洞检测的应用报告一、背景介绍 随着芯片集成度不断攀升，芯片后道 Al 互连技术成为确保信号传输与芯片功能实现的关键环节。在芯片工作时，Al 互连导线中的电子持续流动，会对金属原子产生作用力，引发电迁移现象。电迁移可能致使 Al 原子移动并聚集，进而在互连导线

​国仪量子电镜在芯片钝化层开裂失效分析的应用报告一、背景介绍在半导体芯片制造领域，芯片钝化层扮演着至关重要的角色。它作为芯片的 “防护铠甲”，覆盖在芯片表面，隔绝外界环境中的湿气、杂质以及机械应力等不利因素，保障芯片内部精密电路的稳定运行。在消费电子设备，如智能手机和笔记本电脑中，芯片需长时间稳定工作

​国仪量子电镜在相变存储器 GST 材料晶化率评估的应用报告一、背景介绍 相变存储器作为新一代存储技术，凭借其高速读写、低功耗和高可靠性等优势，在数据存储领域备受关注。GST（锗锑碲）材料是相变存储器的核心存储介质，其晶化率对相变存储器的性能起着决定性作用。晶化率不同，GST 材料的电阻值会发生显著变

​国仪量子电镜在铜互连电迁移空洞定位的应用报告一、背景介绍在半导体芯片制造领域，随着芯片集成度的不断提升，芯片内部的互连结构对于确保高效、稳定的信号传输至关重要。铜互连因其低电阻、高电导率以及良好的抗电迁移性能，成为现代超大规模集成电路中互连材料的首选。在复杂的芯片电路中，铜互连负责连接各个晶体管和功

​国仪量子电镜在砷化镓微波器件界面位错分析的应用报告一、背景介绍在现代通信技术快速发展的浪潮中，砷化镓（GaAs）微波器件凭借其卓越的高频性能、高电子迁移率以及良好的抗辐射能力，成为实现高速、高效信号传输的核心元件。在 5G 乃至未来 6G 通信基站的射频前端，GaAs 微波器件用于信号的发射与接收，

​国仪量子电镜在柔性显示基板 PI 膜皱褶分析的应用报告一、背景介绍 柔性显示技术作为当前显示领域的前沿方向，具有轻薄、可弯曲、便携等优势，在可折叠手机、智能穿戴设备等领域展现出巨大的应用潜力。聚酰亚胺（PI）膜因其优异的机械性能、热稳定性和化学稳定性，成为柔性显示基板的关键材料。然而，在 PI 膜的

​国仪量子电镜在纳米压印模板残留胶检测的应用报告一、背景介绍在半导体制造、微纳光学以及生物医学微器件制备等前沿领域，纳米压印技术凭借其能够低成本、高分辨率地复制微纳结构的独特优势，成为实现高精度图案化的关键工艺。通过将具有特定微纳图案的模板压印到涂覆有光刻胶或聚合物材料的基底上，经固化后可精准转移图案

​国仪量子电镜在量子点发光层厚度均匀性测量的应用报告一、背景介绍在现代显示技术以及光电器件领域，量子点发光材料凭借其卓越的光学特性，如窄且对称的发射光谱、高量子产率以及可通过尺寸精确调控发光波长等，成为实现高分辨率、高色彩饱和度显示以及高性能光电器件的核心要素。在量子点发光二极管（QLED）显示器中，

​国仪量子电镜在蓝宝石图形化衬底（PSS）形貌分析的应用报告一、背景介绍 在发光二极管（LED）制造领域，蓝宝石图形化衬底（PSS）技术是提升 LED 光提取效率的关键手段。通过在蓝宝石衬底上制备特定的微观图形结构，能够有效减少光线在衬底内部的全反射，增加光线出射，从而提高 LED 的发光效率。PSS

​国仪量子电镜在芯片金属迁移树突生长监测的应用报告一、背景介绍 在现代芯片制造领域，随着芯片集成度不断提高、尺寸持续缩小，金属迁移引发的问题愈发凸显。芯片中的金属导线在电流、温度等因素作用下，金属原子会发生迁移，进而形成树突结构。金属迁移树突生长一旦接触到相邻导线，就会造成短路，严重影响芯片的可靠性和

​国仪量子电镜在晶圆背面研磨亚表面损伤评估的应用报告一、背景介绍在半导体制造流程中，晶圆作为基础材料，其质量直接关乎芯片的性能与成品率。随着芯片制造工艺不断向小型化、高性能化发展，对晶圆的质量要求愈发严苛。背面研磨是晶圆制造过程中的关键工艺环节，通过去除晶圆背面多余的材料，实现晶圆减薄，满足芯片封装对

​国仪量子电镜在硅外延层堆垛层错密度统计的应用报告一、背景介绍在半导体产业蓬勃发展的当下，硅外延层作为构建高性能芯片的核心材料，其质量优劣直接关乎芯片的性能表现。硅外延生长技术通过在硅衬底上精确生长一层高质量的硅晶体，能够有效改善半导体器件的电学性能，提升芯片的集成度与可靠性。在先进制程的芯片制造中，

​国仪量子电镜在硅晶圆表面 CMP 划痕检测的应用报告一、背景介绍在半导体制造领域，硅晶圆作为集成电路的基础材料，其表面质量对芯片的性能和成品率起着决定性作用。随着芯片制造工艺不断向更小的特征尺寸发展，对硅晶圆表面平整度和光洁度的要求愈发严苛。化学机械抛光（CMP）技术作为实现硅晶圆超精密表面加工的核