中国粉体网讯 6月30日，据上海证券交易所披露，天科合达科创板IPO申请正式获得受理，本次IPO由中金公司担任保荐机构。
据招股书申报文件，天科合达本次科创板IPO拟募集资金278000万元，募集资金将用于第三代半导体碳化硅材料扩产项目、碳化硅衬底材料单晶原料建设项目、江苏天科合达半导体有限公司碳化硅晶片一期项目厂房购置项目及补充流动资金。
天科合达专注于第三代半导体材料碳化硅衬底及相关产品的研发、生产和销售，是国内最早实现碳化硅衬底产业化的企业之一。天科合达立足于碳化硅材料及生产设备的生产实践，经过多年研发投入和技术积累，形成了拥有自主知识产权的“PVT碳化硅单晶生长炉制造技术”“高纯度碳化硅生长原料合成技术”“PVT碳化硅晶体生长技术”“低翘曲度碳化硅晶体切割技术”“碳化硅晶片精密研磨抛光技术”“即开即用的碳化硅晶片清洗技术”和“CVD碳化硅外延生长技术”等核心技术，建立了覆盖“设备研制—衬底制备—外延生长”等碳化硅材料生产全流程的核心技术体系。
历经二十年技术攻坚与产业化实践，天科合达打破了海外厂商对碳化硅衬底的长期垄断，已成长为碳化硅材料领域的全球领军企业之一，2023年以来，公司核心产品导电型碳化硅衬底市场占有率均排名全球前三。基于碳化硅衬底领域的深厚积累，公司向下游碳化硅外延片业务战略延伸，构建了行业内稀缺的“衬底+外延”一体化交付体系，实现了对下游器件厂商核心需求的直接响应与深度协同。
天科合达构建了覆盖碳化硅材料领域的完整产品体系，主要产品包括碳化硅衬底、碳化硅外延片及其他碳化硅产品。具体而言，公司自主生产碳化硅单晶生长炉，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅晶体，经过切割、加工等工艺后制备碳化硅衬底，在衬底基础上采用化学气相沉积法（CVD）生长碳化硅外延片。公司相继实现了2英寸至8英寸碳化硅衬底的规模化生产，并成功研发12英寸碳化硅衬底产品。
碳化硅衬底
天科合达聚焦第三代半导体材料领域，长期深耕碳化硅材料的技术研发与产业化实践，不断突破晶体生长及晶片加工的关键技术，实现了大尺寸、高品质碳化硅衬底的规模化供应。
碳化硅外延片
天科合达于2020年12月投资设立重投天科，通过布局碳化硅外延片业务，丰富产品结构、完善产业布局，深化与下游器件客户的合作关系。公司持续推进碳化硅外延片研发工作，在外延层厚度、掺杂浓度均匀性和缺陷控制等关键技术上取得突破。公司自产外延片生产线于2023年底建成投产，2025年，公司持续推动工艺提升及客户推广工作，已实现一定规模的对外销售。
财务数据显示，2023-2025年，天科合达归属于母公司股东的净利润分别为12,611.36万元、-60,616.88万元和-66,361.04万元，扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润分别为11,261.63万元、-62,648.71万元和-69,996.69万元。
参考来源：上海证券交易所、天科合达招股说明书
（中国粉体网编辑整理/初末）
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