近些年，碳化硅热度疯狂飙升，整个产业链都忙得不亦乐乎。

2022年4月26日， Wolfspeed宣布其位于美国纽约州莫霍克谷的采用领先前沿技术的 SiC 制造工厂正式开业。

近日，国际大厂相继与国内碳化硅厂商签订供应协议。不少人感叹国产碳化硅“出息”了，迈向国际供应链体系。

碳化硅作为第三代半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势，在高温、高压、高频领域表现优异，已成为半导体材料技术领域的主要发展方向之一。

研究机构TECHCET日前预测，尽管全球经济普遍放缓，但2023年碳化硅(SiC)衬底市场将持续强劲增长。

近年来，华为频频出手投资第三代半导体产业，尤其是在碳化硅领域，已经成为该赛道最大投资者之一了。华为缘何对碳化硅如此看重？

韩国正向碳化硅发起总攻！

央视财经：碳化硅产业规模将高达数千亿元人民币。

新一轮科技革命和产业变革深入发展，国际力量对比深刻调整，我国新材料产业发展面临新的战略机遇。

住友矿山开发出一种新技术，希望凭借一种新型SiC晶圆抢占美国Wolfspeed（前身为科锐，CREE）等企业的市场，使全球份额占比达到10%。

近日，河口自然资源和规划发布山东粤海金半导体科技有限公司年产11万片碳化硅衬底片项目临时建设工程规划批前公示。

同光新材料在保定高新区建设的碳化硅合成粉料生产线项目的厂房主体已经结顶，目前工人正在加紧二次结构施工。

近日，江苏超芯星总投资65亿元的第三代半导体碳化硅衬底关键技术研发及产业化项目签约落地南京！

据哈尔滨市松北区官网消息，位于哈尔滨新区江北一体发展区的科友半导体产学研聚集区项目预计将于今年7月正式竣工投产。

福州高意碳化硅衬底开始规模量产，预计年产10万片，产值可达5亿元。

Wolfspeed位于美国纽约州的全球最大的8英寸碳化硅制造厂将于美国东部时间4月25日迎来盛大开业。

日前，科友第三代半导体产学研聚集区项目一期正式投用。

2023徐州（北京）投资洽谈会在北京举行，本次活动33个项目现场签约，协议投资总额达258.8亿元。

近日，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院-杭州乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）经过系列技术攻关成功跻身8英寸碳化硅俱乐部。

近日，中国电科2所激光剥离项目取得突破性进展。

6月17日，科友半导体宣布，以其自主设备和技术研发的6英寸SiC晶体在厚度上实现突破，达到32.146mm。

近期，中科院物理研究所成功制备单一4H晶型的8英寸碳化硅(SiC)晶体，并加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片。

山西天成半导体6英寸碳化硅衬底项目即将投产。

近日，浙江大学杭州国际科创中心成功生长出了厚度达到50 mm的6英寸碳化硅单晶。

随着业务的顺利开展，公司天使轮投资机构云懿资本推动和支持公司完成了Pre-A轮融资。

为推动英飞凌碳化硅材料供应商体系多元化，与国内两大碳化硅材料厂商签订长期协议。

2022年，天岳先进实现营业收入 4.17亿元。

近日，露笑科技发布投资者关系活动记录表公告称在2023年实现年产20万片的产能规划。

Soitec 近日发布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC™ 晶圆。

近日，意法半导体（NASDAQ：STM）和法国半导体材料大厂Soitec公司宣布它们将在碳化硅衬底的下一阶段进行合作。

天岳先进已具备设计不同尺寸碳化硅单晶生长炉能力。

2021 年 12 月 7 日，中国 –设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业 Soitec 宣布，与全球电力和先进材料领域专家美尔森达成战略合作，携手为电动汽车市场开发多晶碳化硅（poly-SiC）系列衬底。

设备作为碳化硅产业链中的重要一环，正在飞速发展。

春节期间，央视新闻报道了中科院物理研究所科研团队们正在探索用一种新的方法生长碳化硅晶体的新闻。

介绍高纯碳化硅粉料制备的相关技术

66页PPT了解碳化硅单晶衬底：技术与产业

近日，中国电子科技集团第二研究所在SiC激光剥离设备研制方面取得了突破性进展。

设备与材料是半导体制造工艺的基石，一个半导体芯片的制造离不开芯片设计、芯片制造等多个流程环节，而所有半导体工艺都始于一粒沙子！