该团队利用高温液相法，实现了相同过饱和度条件下3C-SiC的Gibbs自由能更低的要求，抑制了生长过程中的相变，在国际上首次生长出了直径2-4英寸、厚度4-10mm、单一晶型的3C-SiC单晶

碳化硅外延石墨烯是制备石墨烯基器件的优选方案

了解SiC单晶生长用高纯碳化硅粉体合成工艺。

2月27日，据外媒报道，Meta首款AR眼镜预计将于今年秋天发布，这款AR眼镜采用碳化硅（SiC）镜片。

碳化硅单晶生长用高纯SiC粉料，其合成有哪些因素影响？

六方半导体聚焦碳化硅涂层技术，突破国外技术垄断，实现了碳化硅涂层产品在半导体领域的部分国产替代。

平煤神马集团碳化硅半导体实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶晶锭。

第三代半导体材料碳化硅领军企业烁科晶体总经理助理马康夫专访

越是高端的先进陶瓷原材料，越要自己研发生产

邀请到天津理工大学功能晶体研究院徐永宽副院长做客对话栏目。

“四高两涂”将不断为SiC单晶生产链提供高纯原料和耗材的配备。

由于PVT法在制造大尺寸SiC晶体和降低成本方面遇到挑战，液相法重新引起了业界的关注。

SiC晶体生长的主要技术包括物理气相输运（PVT）法、高温化学气相沉积（ HTCVD）法，以及顶部籽晶溶液生长（TSSG）法。

SiC具有宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点，是半导体材料领域中较有前景的材料之一。

天岳先进不断追求更高的晶体质量和加工质量更好的满足客户的需求目前可批量供应6英寸产品8英寸产品正在研发中基本信息导电型晶型4H直径（mm）150偏角（°）4厚度（μm）350表面状态Epi-ready

根据客户生产的碳化硅晶体类型，可以提供原材料的定制服务，晶体原材料的规格和技术要求，请与我公司销售部门联系。

碳化硅单晶生长炉主要应用于生长6英寸N型及半绝缘碳化硅单晶衬底。碳化硅单晶具有高热导率、高化学稳定性、低热膨胀、高饱和电子漂移率等优点，在白光高效照明、电力输送与转换、耐高温电力电子器件等民用领域应用广泛，同时在雷达通讯、航空母舰、舰舶等军事领域可提高军事电子系统和武器装备的性能，有着明确应用背景。

高纯硅粉呈金属光泽质地、银灰色粉末状高质量工业原材料。硅含量99.9%-99.9999%，又称3N-6N。我公司在福建永安拥有高纯硅粉研发中心，主要从事金属硅粉、高纯硅粉3N～6N（99.9%-99.9999%）的研发和生产，致力于提供低成本、高品质、低能耗的绿色环保硅材料，在硅材料领域拥有丰富的生

高纯硅粉CX-S1高纯硅粉纯度高（4N），杂质含量低，粒度分布均匀，可应用于电子封装、电气绝缘、电子元器件以及超大规模集成电路、高性能陶瓷、油漆涂料、精密铸造、硅橡胶、航空航天、汽车等领域。