高性能氮化铝陶瓷最终取决于氮化铝粉体的质量，到目前为止，制备氮化铝粉体有氧化铝粉碳热还原法、铝粉直接氮化法、化学气相沉积法、自蔓延高温合成法等多种方法，各种方法都有其自身的优缺点。

烧结过程是氮化铝陶瓷制备的一个重要阶段，直接影响陶瓷的显微结构如晶粒尺寸与分布、气孔率和晶界体积分数等，因此烧结技术成为制备高质量氮化铝陶瓷的关键技术。

要想提高氮化铝陶瓷在实际应用中的热导率，两个关键难题必须解决：一是降低氧杂质原子的存在；二是实现致密烧结。

中国粉体网将在郑州举办“2021第四届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”。届时，来自北京科技大学的秦明礼教授带来题为《高导热复杂氮化铝陶瓷制品的精密制造技术》的报告。

43页PPT解读氮化铝的研究进展

氮化铝为什么要提纯？怎么提纯？

由于晶须很低的杂质含量和很少的晶格缺陷，使其有可能达到或接近理论热导率以及接近其完整晶体材料理论值的强度和模量。

AlN陶瓷材料具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数、高电阻、低密度、热化学稳定性好、机械性能良好、成本低、无毒等优点，使其在航空航天、大规模集成电路等重要领域的应用有着巨大的优势，因此受到国内外科研工作者和生产厂家越来越广泛的重视。

随着电子技术的迅猛发展，集成电路的散热性问题逐渐得到重视。高纯AlN单晶的热导率最高可达到319W/(m·K)。其具有高热导率、高温绝缘性和优良介电性能、良好耐腐蚀性、与半导体Si相匹配的膨胀性能等优点。因此成为优良的电子封装散热材料，能高效地散除大型集成电路的热量，是组装大型集成电路所必需的高性能陶瓷基片材料。

氮化铝陶瓷的成型技术

近日，国内氮化铝陶瓷基板龙头企业福建华清电子材料科技有限公司获得1.8亿元投资，加快氮化铝陶瓷基板、陶瓷金属化产品研发生产。

旭光股份（ 600353 ），现价不到6块，总市值才30亿，而且它具有很多题材。这些题材都是实打实的，具有军工、华为电视、5G、芯片、一带一路、智能电网、4K.它的客户遍布华为、中兴、国家电网、轨道交通等业内优质企业。

旭光电子4月11日晚发布2022年年报，公司2022年实现营业收入11.41亿元，同比增长13.36%；实现归属于上市公司股东的净利润1亿元，同比增长72.76%。

2023徐州（北京）投资洽谈会在北京举行，本次活动33个项目现场签约，协议投资总额达258.8亿元。

比亚迪入股氮化铝粉体厂商厦门钜瓷。

9月20日，德山株式会社宣布将开设氮化铝填料研究设施。

高性能氮化铝陶瓷材料项目源于清华大学国家863科技成果，建成后年产氮化铝基板720万片，氮化硅基板300万片。

1月22日，旭光电子发布公告拟募资5.5亿元用于氮化铝、氮化硅陶瓷基板、高温共烧多层基板等建设。

该设备可用于陶瓷胚体和制品的反应烧结、无压烧结、重结晶烧结等，也可用于陶瓷粉体材料的制备。☆采用顶立科技专属超高温、大电流引电技术，能在高温条件下长时间稳定使用；☆采用特殊的高温红外测量技术，控温准确，误差小；☆配置专属密封马弗，产品产生的硅蒸汽等副产物对加热器及绝缘材料等的污染小；☆采用专用尾气处

具有优良的导热性、较低的介电常数和介质损耗，可靠的绝缘性能；优良的力学性能，无毒，耐高温，耐化学腐蚀；广泛应用于通讯器件、高亮度LED、电力电子器件等行业，是一种性能优异的电子陶瓷材料

产品参数产品纳米氮化铝（AlN)产品型号ZH-AlN-01平均粒度mm-um-50nm产品纯度99.9%比表面积42.162m2/g理论密度3.050g/cm3松装密度1.840g/cm3熔点1100℃沸点1800℃晶型近球形外观米白色蓬松粉末分散性气相法制备，易于分散液体与高分子材料中备注产品粒度

氮化铝陶瓷基板具有优良的导热性、较低的介电常数和介质损耗，可靠的绝缘性能:优良的力学性能，无毒，耐高温，耐化学腐蚀:公司生产的氮化铝基板:具有优良的热学、力学、电学性能，高导热率、高强度等优异特性。随着微电子设备的讯猛发展，高导热氯化铝基板广渎应用于通讯器件、高亮度LED、电力电子器件等行业，是一种

氮化物陶瓷料浆闭式循环喷雾干燥机待干燥物料：氮化物陶瓷料浆成型剂：PEG+PVB研磨剂：酒精循环气体：氮气料浆固形物含量：40wt%-50wt%料浆温度：常温干燥塔进风温度：170-220℃干燥塔出风温度：80-90℃产品残余酒精含量：≤0.5%酒精蒸发能力：≥25kg/h加热方式：防爆电加热雾化方