市场前景

特斯拉领军,新材料碳化硅在电动车市场需求起飞

中国粉体网讯电动车已成为汽车市场主流,多数电动车仍是以硅材料的 IGBT 来作逆变器芯片模组,是功率半导体在电动车领域的技术主流。但自从特斯拉 Tesla 推出 Model 3,在逆变器模组上采用碳化硅 SiC 后,碳化硅这类新型半导体材料越来越受重视。传统的硅材料具有工艺成熟度高、成本低等优点,但

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特斯拉1年要用50万片6寸SiC

中国粉体网讯台湾供应链业者包括环球晶、合晶、太极等2020年在SiC领域均加码布局,主因下游车厂客户端的急急如律令。目前Tesla Model 3使用碳化硅金氧半场效晶体管(SiC MOSFET)只在其主驱逆变器电力模块上,其实还有车载充电器(OBC)、充电桩等都要用碳化硅(SiC)。业者指出,市场

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第三代半导体渐成市场焦点 厂商紧抱SiC这块“蛋糕”

中国粉体网讯最近,第三代宽禁带半导体的碳化硅 SiC 被提及的比较多,各大厂家(像 Infineon、Cree、Rohm 等)也都在积极进行碳化硅产品的布局。功率半导体器件最为功率变换系统的核心器件,适用于高压低损耗的第三代宽禁带半导体的 SiC 器件未来可期。随着 5G、电动车等新应用兴起,第三代

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碳化硅在半导体行业的应用现状及市场前景

半导体行业是碳化硅材料发展潜力最大和产业附加值最高的应用方向。二十世纪九十年代以来,美、日、欧和其他发达国家为了保持航天、军事和技术上的优势,将发展碳化硅半导体技术放在极其重要的战略地位,相继投入了大量的人力和资金对碳化硅材料和器件技术进行了广泛深入的研究,旨在提升其装备系统的能力和减小组件的体积,

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莫失良机!迈向能源新时代,碳化硅企业大有可为

中国粉体网讯 目前,我国碳化硅行业面临着低端领域产能过剩,出现了同质化生产、低价竞争、环保污染等诸多问题,而在高端市场领域,如智能电网、新能源汽车、军用电子系统等尚处于发展初期,从世界范围看,高端碳化硅市场正逐步形成,对我国相关企业实现转型和产业升级是一次良好的机遇。1、碳化硅高端应用概况碳化硅因其

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碳化硅汽车芯片,将使电动汽车的续航里程增加6%?

中国粉体网讯 近日,据路透社德累斯顿报道称,汽车供应商博世(Robert Bosch)将开始生产碳化硅(SiC)汽车芯片,以解决导致许多驾驶者不愿转向电动汽车的续程焦虑症。博世的董事会成员Harald Kroeger近日说:“碳化硅半导体为电动汽车带来更多动力,对于驾车者来说,这意味着续程增加6%。

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首款全碳化硅模块量产,2022年市场规模或将达到40亿美元

中国粉体网讯 首款全碳化硅模块EASY1B 已经量产,2022年,碳化硅半导体材料的市场规模或将达到40亿美元。英飞凌在2016年6月上海举办的PCIM上展出了首款全碳化硅模块,在2017年纽伦堡举办的PCIM上展出了1200V碳化硅MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑,现在,英飞凌已经实现首款

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碳化硅行业发展现状分析 深加工、高附加值成行业转型方向

中国粉体网讯中国碳化硅技术水平全球领先我国是全球碳化硅最大的生产国和出口国,碳化硅行业经过多年的发展,目前其冶炼生产工艺、技术装备和单吨能耗已经达到了世界领先水平,黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。此外,我国碳化硅技术水平还可从专利技术情况来表现,通过搜索到的碳化硅相关专利情况数据显示,截至20

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项目进展

碳化硅项目遍地开花 2022年或成关键转折点 一图看懂产业链分布
2020  09-08

中国粉体网讯据媒体报道,近日,投资160亿元的长沙三安第三代半导体项目,首批施工单体已全面进入主体施工阶段,第二批施工单体将于9月底完成基础施工,春节前完成所有单体封顶。根据此前报道,该项目于7月20日正式开工,作为长沙17个制造业标志性重点项目之一,主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、

东营市河口区:“快马加鞭”推进国宏中能碳化硅衬底片项目建设
2020  05-19

中国粉体网讯5月14日,记者在山东东营市河口区河口经济开发区山东国宏中能年产11万片碳化硅衬底片项目的建设现场,看到厂房的主体框架已经完成,工人师傅们正在进行喷浆抹灰,内部装饰等工作。山东国宏中能年产11万片碳化硅衬底片项目作为省优选和市、区重点项目,总投资6.9亿元,分两期建设,将生产4英寸及6英

徐州半导体项目新进展:中科智芯5月投产,鑫晶大硅片10月量产
2020  04-20

中国粉体网讯近日,徐州市举行一季度重大产业项目观摩点评会,并透露了天科合达、中科智芯等半导体项目的相关进展。天科合达碳化硅晶片项目于2020年3月底正式投产。该项目总投资10亿元,新建碳化硅晶片及表面处理、封装等生产线,主要包括碳化硅单晶生长炉及其配套的切、磨、抛和检测等设备,年产碳化硅晶片6万片。

同光晶体碳化硅单晶衬底项目落户涞源
2020  03-24

中国粉体网讯 3月22日,涞源县政府与河北同光晶体有限公司签署协议,同光晶体年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目落户涞源。市长郭建英致辞。同光晶体所从事的碳化硅产业,是国际上最先进的第三代半导体产业,是世界新兴产业的重要基础支撑。此次项目落户涞源,填补了该县无高新技术企业的空白,是涞源经济发

总投资50亿元,国内最大碳化硅基地正式投产
2020  03-10

中国粉体网讯 据报道,投资50亿元,建设用地约1000亩的中国电科(山西)电子信息科技创新产业园在山西转型综改示范区正式投产。人民网报道称,该项目计划用5年时间,建成“一中心三基地”,即:中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科(山西)三代半导体技术创新

世纪金光6英寸碳化硅项目落户合肥 大基金持股10.55%
2020  03-13

中国粉体网讯 3月12日,合肥产投资本管理有限公司(以下简称“合肥产投资本”)宣布,其管理的语音基金与北京世纪金光半导体有限公司(简称“世纪金光”)签署投资协议并完成首期出资,这也标志着合肥首个第三代半导体产业项目正式落地。天眼查显示,世纪金光成立于2010年,注册资本2.8亿元,法定代表人李百泉,

总投资3亿元的碳化硅功率半导体项目落户江苏徐州
2020  02-19

中国粉体网讯2月17日,江苏徐州高新区举行重点项目现场、网上视频签约仪式。据徐州高新发布指出,此次视频签约的项目主要包括徐工基础、碳化硅功率半导体、凯思泰克自动化智能电子设备、柔性物流智能装备等四个项目,项目总投资51亿元。其中,碳化硅功率半导体模块封测及封装材料研发项目总投资约3亿元,主要从事碳化

总投资5亿,江苏天科合达半导体碳化硅项目顺利建成投产
2019  12-31

中国粉体网讯 2019年12月27日上午,江苏天科合达半导体有限公司投产仪式在徐州经济技术开发区凤凰湾电子信息产业园内拉开序幕。(来源:网络)莅临投产仪式的有:中国科学院物理研究所党委书记文亚;新疆生产建设兵团科技局原局长田笑明;中国科学院大学党委副书记高随祥;国家集成电路产业大基金唯一管理机构——

露笑科技:签订半绝缘型碳化硅材料、装备研发与应用合作协议
2019  12-25

中国粉体网讯12月24日,露笑科技公布,公司于2019年11月26日与中科钢研节能科技有限公司(“中科钢研”)、国宏中宇科技发展有限公司(“国宏中宇”)签署了《中科钢研节能科技有限公司与国宏中宇科技发展有限公司与露笑科技股份有限公司碳化硅项目战略合作协议》,协议期限为两年,由中科钢研主导工艺技术与设

投资10亿元!博蓝特碳化硅及大尺寸蓝宝石衬底项目落户金华
2019  12-09

中国粉体网讯 近日,浙江博蓝特半导体科技股份有限公司与浙江金华开发区签署项目投资协议,博蓝特计划投资10亿元,在开发区建设年产15万片第三代半导体碳化硅衬底及年产200万片用于Mini/Micro-LED显示技术的大尺寸蓝宝石衬底研发及产业化项目。浙江博蓝特半导体科技股份有限公司长期致力于GaN基L

投资50亿元,中国最大碳化硅材料供应基地即将投产
2019  12-24

中国粉体网讯 投资50亿元,建设用地约1000亩的中国电科(山西)电子信息科技创新产业园即将在山西转型综改示范区投产。据报道,该项目计划用5年时间,建成“一中心三基地”,即:中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科(山西)三代半导体技术创新中心、中国电科

年产12万片碳化硅芯片项目落户淄博高新区
2019  11-08

中国粉体网讯 近日,北京绿能芯创公司与高新区管委会碳化硅项目签约仪式在齐盛国际宾馆举行。市委常委、副市长杨洪涛,高新区工委副书记、管委会常务副主任魏玉蛟,工委委员、管委会副主任张旭东及高新区电子信息产业园、淄博美林电子负责人出席签约仪式。  该项目总投资20亿元,建成后三年内可实现年产12万片碳化硅

企业布局

中国粉体网讯 日前,博世碳化硅功率器件首次在全球对外亮相。据悉,该器件能够在实现高开关频率的同时,保持较低的能量损耗和较小的芯片面积,并增加电动汽车和混合动力汽车6%的续航里程。博世方面预测,预计到2025年,随着产量增加,碳化硅的成本将会与IGBT模块持平。此外,博世位于德国的第二家芯片工厂将于2

续航里程增6% 博世碳化硅功率器件亮相

中国粉体网讯一张光盘大小的形状、厚度仅0.5毫米的SiC(碳化硅)单晶衬底,却能解决“卡脖子”问题——今年,随着新基建风口的兴起,碳化硅的发展迎来新时代,基于碳化硅研发的电子元器件正更多地推广到车用电子、5G系统和电源系统中。作为第三代半导体材料,碳化硅已是各国抢占的战略性新兴产业。近年来,长沙大力

新基建到来,长沙链式布局抢占碳化硅未来

中国粉体网讯第三代半导体又称宽禁带半导体,禁带宽度在 2.2eV 以上,主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料。相较于以硅(Si)、锗元素(Ge)代表的第一代和以砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)为代表第二代半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密

第三代半导体材料时代来临,哪些你熟悉的玩家入局了?

中国粉体网讯 近日,ROHM-臻驱科技碳化硅技术联合实验室揭牌仪式在上海自贸试验区临港新片区举行。据悉,作为符合国家战略发展规划的新型研发机构,ROHM-臻驱科技联合实验室致力于开发、测试及推广以碳化硅为基础材料的功率半导体技术,服务上海以至全国的功率半导体芯片、功率模块、零部件供应商和整机厂全产业

乘风破浪的碳化硅产业,已势不可挡?

中国粉体网讯据中央纪委国家监委网站指出,目前中国电科(山西)碳化硅材料产业基地已经实现4英寸晶片的大批量产,6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证,为客户提供小批量的产品试用,预计年底达到产业化应用与国际水平相当。今年3月,中国电科(山西)碳化硅材料产业基地在山西转型综合改革示范区正式投

实现碳化硅完全自主供应 中电科实现4英寸晶片量产

中国粉体网讯 近日,蓝海华腾携手比亚迪半导体组建的联合创新实验室在深圳光明揭牌。企业双方以联合创新实验室揭牌仪式为契机,将在资源共享、技术创新、人才交流等方面有更多、更深入的合作沟通。汇聚资源优势,开展联合实验和合作研究,打造更具竞争力的产品。共同建设SiC、IGBT功率半导体的开发与应用试验平台,

蓝海华腾携手比亚迪半导体共建“联合创新实验室”

中国粉体网讯5月9日,泰科天润宣布,近期完成了新一轮融资,本轮投资方浏阳高创、三峡资本、遨问创投和谢诺辰途共同完成了对泰科天润的亿元股权投资。几家产业资本的支持将进一步推动国产碳化硅功率器件在工业各领域,尤其是新能源、光伏逆变、电动汽车、先进储能等领域,实现更为广泛的产业化应用。据悉,泰科天润是中国

中国碳化硅功率器件产业化倡导者之一,泰科天润完成3亿元产业融资

中国粉体网讯5月7日,北京监管局披露了国开证券股份有限公司关于北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称“天科合达”)首次公开发行股票并在科创板上市辅导工作报告(第二期)。据了解,国开证券和天科合达于2019年12月6日签署《北京天科合达半导体股份有限公司与国开证券股份有限公司关于首次公开发行股票并上

SiC晶片生产商天科合达开启科创板上市征程

中国粉体网讯碳化硅市场将迎来新的强力选手。博世董事会成员 Harald Kroeger 近日表示:“碳化硅半导体为电动汽车带来了更多动力。对于驾车者来说,这意味着续航里程将增加 6%。” 博世计划于 2021 年下半年在位于德国高科技中心“硅萨克森州”中心的工厂进行首次碳化硅芯片的生产。该工厂将雇用

碳化硅市场还能有多火爆 又一国际巨头加入战局

中国粉体网讯4月17日,扬杰科技发布2019年年度报告称,公司实现营业收入20.07亿元,同比增长8.39%,归属于上市公司股东的净利润2.25亿元,同比增长20.16%。公告显示,扬杰科技积极推进IGBT新模块产品的研发进程,成功开发50A/75A/100A-1200V半桥规格的IGBT,贡献持续

扬杰科技2019年净利增长20%,碳化硅器件开发成功

中国粉体网讯 12日,露笑科技股份有限公司发布2020年度非公开发行股票预案。公告显示,露笑科技本次非公开发行采取向特定对象非公开发行股票的方式,在获得中国证监会核准后由公司在中国证监会规定的有效期内选择适当时机向不超过35名特定对象发行。按2019年12月31日股本测算,露笑科技本次非公开发行股份

露笑科技再次布局碳化硅项目,这次是10亿!

中国粉体网讯近日,江苏超芯星半导体有限公司完成了天使轮投资,本轮投资由同创伟业和磊梅瑞斯资本共同完成。据江苏超芯星半导体有限公司官网介绍,超芯星半导体于2019年4月落户江苏仪征经济开发区,是国内领先的第三代半导体企业,致力于6英寸碳化硅衬底的研发与产业化。据悉,相比传统的硅半导体材料,碳化硅拥有3

致力于6英寸碳化硅衬底研发,江苏超芯星完成天使轮投资

中国粉体网讯碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料,拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率等显著的性能优势,在电动汽车、电源、军工、航天等领域具有广阔的市场前景。碳化硅半导体产业链碳化硅半导体产业链主要包括高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、模块封 装和终端应用等环节。国

国内碳化硅半导体企业大盘点

中国粉体网讯 作为第三代半导体材料“双雄”之一,碳化硅(SiC)凭借其在高温、高压、高频等条件下的优异性能表现,成为当今最受关注的半导体材料之一。国内不乏SiC势力,中科钢研就是其一。中科钢研是由国务院国资委于2016年批复成立的新型央企控股混合所有制企业。据其官网介绍,中科钢研先后开发了高品质、大

抢占第三代半导体风口,中科钢研加速碳化硅布局

中国粉体网讯 今日从莱西市获悉,落户于莱西经济开发区的中科钢研碳化硅项目正在加紧项目建设,今年将实现投产。 中科钢研集成电路产业园施工一角作为第三代半导体材料,碳化硅凭借其在高温、高压、高频等条件下的优异性能表现,成为当今最受关注的新型半导体材料之一。中科钢研碳化硅项目9月竣工采用碳化硅材料制成的电

碳化硅晶体衬底片国产化?中科钢研称9月就能竣工投产

中国粉体网讯 2019年4月23日,华为成立投资公司——哈勃科技投资有限公司(以下简称哈勃投资)。近日,工商资料显示,哈勃投资已经投资两家半导体相关公司,一个是从事第三代半导体材料碳化硅相关的山东天岳先进材料科技有限公司,另外一个则是从事电源管理芯片设计的杰华特微电子(杭州)有限公司。山东天岳核心产

华为旗下哈勃投资出手 入股2家半导体产业链公司

中国粉体网讯 8月4日晚间,露笑科技发布公告称,全资子公司内蒙古露笑蓝宝石近日与国宏中宇科技发展有限公司签订了《碳化硅长晶成套设备定制合同》,内蒙古露笑蓝宝石将为国宏中宇提供80套碳化硅长晶炉成套设备,该合同总金额约1.26亿元人民币。根据合同显示,此次内蒙古露笑蓝宝石为国宏中宇提供的碳化硅长晶炉成

迎第三代半导体发展新机遇 露笑科技进军碳化硅产业

中国粉体网讯2月20日晚间,露笑科技发布公告称,公司近期正在筹划非公开发行股票事项,募集资金主要用于投资碳化硅晶体材料和制备项目。公告显示,露笑科技本次非公开发行的股票数量按照募集资金总额除以发行价格确定,且不超过本次发行前总股本的30%,即4.53亿股(含本数),最终发行数量以中国证监会核准的发行

露笑科技筹划非公开发行 募资投向碳化硅晶体材料和制备项目

中国粉体网讯近日,横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)于12月2日宣布,完成对瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB(“ Norstel”)的整体收购。在2019年2月宣布首次交易后,意法半导体行使期权,收购了剩余的45

意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购

中国粉体网讯 27日,第三代半导体及智能制造国际研讨会在如皋举行。会上,中乌第三代半导体产业技术研究院宣布成立并落户如皋。中乌第三代半导体产业技术研究院由乌克兰国家科学院(单晶研究院)、如皋高新区共同发起成立。研究院将联合中国、乌克兰、德国等国专家,共同研究开发包括碳化硅、氮化镓、金刚石等在内的第三

第三代半导体研究院落户江苏如皋 研究开发碳化硅、氮化镓、金刚石等材料

中国粉体网讯 Cree公司声明,Cree正在朝着其计划在Marcy Nanocenter建造的制造工厂实现2022年生产碳化硅晶片的目标取得进展。  Cree和纽约研究,经济进步,技术,工程与科学中心(又称纽约州CREATES)上周联手在奥尔巴尼纽约州立大学理工学院完成了第一批碳化硅测试晶片。新工厂

Cree完成第一批碳化硅测试晶片

中国粉体网讯天科合达(870013)于12月11日发布了关于购买股东中国科学院物理研究所独有以及与公司共有部分专利的关联交易公告。公告显示,经与中国科学院物理研究所协商,天科合达拟现金出资购买中国科学院物理研究所独有以及与公司共有的碳化硅相关专利,该部分无形资产评估价值1021.81万元,拟定收购价

天科合达拟以1021.81万元购买26种碳化硅相关专利

技术工艺

小晶片背后的大能量

中国粉体网讯说起碳化硅晶片,大家也许会觉得很陌生。但在我们熟知的电动汽车和5G通信中,它却发挥着举足轻重的作用。5G之所以速度快,是因为它有一颗非常强大的心脏,这个心脏依赖的就是一片薄如纸的碳化硅晶片。虽然从外表看只是个小圆片,但作为目前全球最先进的第三代半导体材料,碳化硅晶片具有其他材料不具备的诸

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中国成功研制国产6英寸碳化硅晶片

中国粉体网讯 从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年时间,在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。  不久前,中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作,解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术,成功研制出了

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碳化硅电力电子器件成为新的研究重点

中国粉体网8月16日讯 碳化硅(Sic)又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。可以称为金钢砂或耐火砂。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,该材料技术还大量应用在制作电热元件硅碳棒。    随

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纳米碳化硅的应用及其制备方法概述

中国粉体网讯碳化硅纳米材料除了具有热传导率高、热稳定性强、抗氧化、耐化学腐蚀、热膨胀系数低、热传导率高、化学稳定性能好、机械性能高等特点,还具有高的禁带宽度,小的介电常数和较高的电子饱和迁移率,高的临界击穿电场和热导率等许多优良的特性。以SiC单晶制作的电子、光电子等器件,在航空航天、雷达通讯、汽车

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9月1日起,高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标

中国粉体网讯 碳化硅具有高机械强度、化学稳定、耐一腐蚀等性能,是一种非常重要的基础材料。而超细粉体在集成系统、电子技术、光子技术、精密仪器、国防工业和机械工业等多种领域里广泛应用。在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量,而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定着粉末纯度,因此建立碳化硅粉表面各种

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上海硅酸盐所发明多头物理气相输运技术并实现高效率碳化硅晶体制备

中国粉体网讯 碳化硅晶体作为第三代半导体材料的代表,在电子电力器件、高亮度发光二级管等节能环保领域有着广泛的应用前景。然而碳化硅晶体制备存在成本高、能效低等问题,限制了碳化硅晶体在民用领域的大规模应用。相关研究工作多头物理气相输运技术碳化硅晶体制备过程图片来源:中科院硅酸盐所中国科学院上海硅酸盐研究

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以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体器件制备及评价技术取得突破

中国粉体网讯 以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。 “十二五”期间,863计划重点支持了“第三代半导体器件制备及评价技术

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