中国粉体网讯最近，第三代宽禁带半导体的碳化硅 SiC 被提及的比较多，各大厂家(像 Infineon、Cree、Rohm 等)也都在积极进行碳化硅产品的布局。功率半导体器件最为功率变换系统的核心器件，适用于高压低损耗的第三代宽禁带半导体的 SiC 器件未来可期。随着 5G、电动车等新应用兴起，第三代

半导体行业是碳化硅材料发展潜力最大和产业附加值最高的应用方向。二十世纪九十年代以来，美、日、欧和其他发达国家为了保持航天、军事和技术上的优势，将发展碳化硅半导体技术放在极其重要的战略地位，相继投入了大量的人力和资金对碳化硅材料和器件技术进行了广泛深入的研究，旨在提升其装备系统的能力和减小组件的体积，

中国粉体网讯 目前，我国碳化硅行业面临着低端领域产能过剩，出现了同质化生产、低价竞争、环保污染等诸多问题，而在高端市场领域，如智能电网、新能源汽车、军用电子系统等尚处于发展初期，从世界范围看，高端碳化硅市场正逐步形成，对我国相关企业实现转型和产业升级是一次良好的机遇。1、碳化硅高端应用概况碳化硅因其

中国粉体网讯 近日，据路透社德累斯顿报道称，汽车供应商博世（Robert Bosch）将开始生产碳化硅（SiC）汽车芯片，以解决导致许多驾驶者不愿转向电动汽车的续程焦虑症。博世的董事会成员Harald Kroeger近日说：“碳化硅半导体为电动汽车带来更多动力，对于驾车者来说，这意味着续程增加6％。

中国粉体网讯 首款全碳化硅模块EASY1B 已经量产，2022年，碳化硅半导体材料的市场规模或将达到40亿美元。英飞凌在2016年6月上海举办的PCIM上展出了首款全碳化硅模块，在2017年纽伦堡举办的PCIM上展出了1200V碳化硅MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑，现在，英飞凌已经实现首款

中国粉体网讯中国碳化硅技术水平全球领先我国是全球碳化硅最大的生产国和出口国，碳化硅行业经过多年的发展，目前其冶炼生产工艺、技术装备和单吨能耗已经达到了世界领先水平，黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。此外，我国碳化硅技术水平还可从专利技术情况来表现，通过搜索到的碳化硅相关专利情况数据显示，截至20

中国粉体网讯 从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底，陈小龙团队花了10多年时间，在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。　　不久前，中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司（以下简称天科合达）合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了

中国粉体网8月16日讯 碳化硅（Sic）又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。可以称为金钢砂或耐火砂。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，该材料技术还大量应用在制作电热元件硅碳棒。　　　　随

中国粉体网讯碳化硅纳米材料除了具有热传导率高、热稳定性强、抗氧化、耐化学腐蚀、热膨胀系数低、热传导率高、化学稳定性能好、机械性能高等特点，还具有高的禁带宽度，小的介电常数和较高的电子饱和迁移率，高的临界击穿电场和热导率等许多优良的特性。以SiC单晶制作的电子、光电子等器件，在航空航天、雷达通讯、汽车

中国粉体网讯 碳化硅具有高机械强度、化学稳定、耐一腐蚀等性能，是一种非常重要的基础材料。而超细粉体在集成系统、电子技术、光子技术、精密仪器、国防工业和机械工业等多种领域里广泛应用。在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量，而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定着粉末纯度，因此建立碳化硅粉表面各种

中国粉体网讯 碳化硅晶体作为第三代半导体材料的代表，在电子电力器件、高亮度发光二级管等节能环保领域有着广泛的应用前景。然而碳化硅晶体制备存在成本高、能效低等问题，限制了碳化硅晶体在民用领域的大规模应用。相关研究工作多头物理气相输运技术碳化硅晶体制备过程图片来源：中科院硅酸盐所中国科学院上海硅酸盐研究

中国粉体网讯 以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。 “十二五”期间，863计划重点支持了“第三代半导体器件制备及评价技术