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我们把视线仅锁定在近一个月内。

6月16日，JX金属宣布，将在2030财年前最高投入1200亿日元（约合7.5亿美元），把InP衬底产能提至2025财年的7—10倍，以满足数据中心光通信基础设施的持续扩张。与此同时，JX金属还表示将向客户提出价格调整（涨价）要求。

7月2日，据《日经新闻》报道，日本住友电工决定进一步扩大光通信用磷化铟衬底产能，计划投资约180亿日元，目标于2028财年将产能提升至2024财年的3.1倍。

我国相关布局企业也不甘落后，先导科技集团旗下核心半导体材料平台——浙江先导微电子科技有限公司投建的高端化合物半导体衬底生产线项目正式完成投资备案，主打4—6英寸高端砷化镓、磷化铟单晶衬底，建成达产后将形成年产砷化镓衬底300万片、磷化铟衬底300万片合计600万片高端产能。

看得出来，全球范围内已经开启了一波磷化铟扩产潮。这不是一次普通的产能扩张，而是巨头们在为即将到来的“全光互联”时代囤积粮草。

磷化铟到底是什么？

要理解为什么全球巨头都在抢购磷化铟，我们首先得搞清楚，这到底是一种什么神仙材料。

磷化铟（InP），顾名思义，是由元素周期表III族的铟和V族的磷组成的化合物。在半导体家族中，它被归类为第二代半导体。

图片来源：JX金属

我们知道，硅是间接带隙材料，让它发光很难。砷化镓（GaAs），虽然是直接带隙，常用于手机射频和功率放大器，但一旦面对数据中心里动辄800G、1.6T的超高速光通信，它的散热能力和电子迁移率就开始捉襟见肘了。

但磷化铟是直接带隙，它的特长就是光电转换，而且击穿场强高、散热性能好。最关键的是，它的电子迁移率比硅高出5到6倍，这就决定了它在高速光通信领域的霸主地位。

具体来说，磷化铟衬底的核心作用是：给激光器（LD）、探测器（PD）、调制器、放大器等光电器件提供一个高质量的工作平台。

目前磷化铟是100G以上高速光芯片（EML激光器、APD探测器、CW光源）的唯一成熟商业化衬底，没有任何量产替代方案。即使CPO/硅光技术也必须依赖磷化铟制外置CW激光器作为光源。

为什么要现在扩产？

重点就四个字：AI算力。

ChatGPT等大模型的风靡，让全球进入了算力军备竞赛。数据在卡与卡、柜与柜、机房与机房之间来回搬，传统铜缆的物理瓶颈就露出来了——损耗大、带宽不够、功耗还高。于是"光进铜退"从趋势变成了刚需。

图片来源：Pixabay

而要把电信号转换成光信号发射出去，光模块内部的激光器芯片（EML）和探测器芯片就必须依赖磷化铟作为衬底，这没得商量。

此外，光模块速率正从400G→800G→1.6T→3.2T迭代，单模块磷化铟用量呈倍数增长。单只800G光模块需4—8颗磷化铟芯片，1.6T光模块对磷化铟衬底的需求是800G的2.7—3倍。

从数据来看：2025年全球磷化铟衬底总需求约200-210万片（2英寸当量），但全球有效合规产能只有60-70万片，供需缺口70%；2026年需求飙到260-300万片，有效产能才75万片左右，缺口还在70%以上。

所以，答案很明显了：磷化铟衬底实在是太紧缺了。难怪有业内人士甚至直言不讳地说：“当前磷化铟（InP）激光器产能不足，特别是激光芯片供给受限，才是CPO乃至整个高速光通信产品的核心卡点。”

今年3月，英伟达豪掷20亿美元战略入股Coherent，并签下长期采购协议。在谢尔曼工厂的扩建奠基仪式上，黄仁勋亲自到场挥锹铲土。这背后的逻辑很清晰：随着AI算力集群对CPO（共封装光学）技术的需求日益迫切，英伟达需要牢牢锁死上游磷化铟光源的供应。

还有谁在扩产？

国外企业

国外企业中，除了住友电工和JX金属外，还有AXT与Coherent。

AXT于2026年4月美股增发募资6亿多美元，全部优先砸向磷化铟，计划2026年底产能较2025末翻倍、2027年再翻倍（即翻四倍），当前积压订单已破1亿美元。

美国的Coherent早已经打通了“磷化铟晶体生长→衬底制备→外延片生产→光芯片→光模块”的全产业链闭环。其谢尔曼厂区是全球首条规模化量产6英寸InP产线，2026年6月16日奠基扩建，扩建后厂区面积翻倍、6英寸InP晶圆年产能从9.6万片拉到38.4万片（4倍），2027年末满产。

有意思的是，Coherent自己的磷化铟衬底远不够用，它还打起了AXT的主意。就在7月2日，AXT宣布，子公司北京通美与Coherent签订三年期6英寸InP晶圆供应协议，Coherent预付约2228.85万美元锁定产能。为履行上述产能承诺，AXT同意在2026年至2028年期间，扩大中国北京工厂的产能。

国内企业

国内方面，除了开头提到的先导科技，鑫耀、有研新材、三安光电等企业也在加速布局。但是目前国内6英寸衬底的国产化率还不到5%，卡脖子的地方主要集中在三个方面：一是衬底良率与国际巨头仍有差距；二是上游高纯磷资源95%依赖日本进口；三是长晶炉、MOCVD等核心设备仍有赖于进口。

参考来源：中粉半导体、粉体网

（中国粉体网/山川）

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