当你用着5G手机刷视频、用AI芯片跑大模型时，很少有人会留意：在这些尖端科技的背后，决定芯片精度与良率的，不只是电路设计，更离不开一道关键工序——CMP 化学机械抛光。

半导体制造中，化学机械抛光（CMP）是实现晶圆表面平坦化的关键工艺。随着制程节点从90nm进步到7nm，晶体管密度激增，线宽缩小到原子级尺度，任何表面不平整都可能导致短路、漏电或良率骤降。

化学机械抛光（CMP）通过化学腐蚀与机械磨削相结合，将晶圆表面平坦化至纳米级精度，为后续光刻、沉积打下基础。CMP的关键在于抛光液（slurry）——它含有SiO₂、CeO₂或Al₂O₃等磨料颗粒，直径通常在50-200纳米之间。颗粒的尺寸分布、zeta电位（表面电荷稳定性，通常需维持±30mV以上）直接决定抛光速率、缺陷控制与均匀性。

面对先进制程晶圆对CMP抛光粉体粒度要求越来越细，磨料D50为20~50nm超细二氧化硅或氧化铝，严禁粒度宽分布，PDI：＜0.1。马尔文帕纳科Zetaszier纳米粒度及电位分析仪，利用动态光散射（DLS）技术和非侵入背散射（NIBS^TM）技术，可提供0.3nm-15μm的宽范围粒径测试范围。

图1 Zetasizer 纳米粒度及电位分析仪

当用于CMP工艺时，浆料的浓度约为几个重量百分比，但通常将浆料制备成高浓度至40或50wt%，以降低储存和运输成本。浓缩浆料的稳定性与颗粒的 zeta 电位相关，它会影响储存和随后稀释过程中的稳定性，所以了解浆料中颗粒的Zeta电位至关重要。

Zeta 电位测量是使用 马尔文帕纳科专利毛细管池（如图 2 所示）进行的，该毛细管池的厚度设计为几毫米，这减少了吸收和散射的影响。所有储备分散体均可直接测量，无需任何进一步制备。

图2 毛细管和定径池中的 25 wt% SiO₂ 浆料样品

CMP步骤从12步增加到30步，抛光次数成倍数增长，对抛光液的粒度控制提出了更高要求。

抛光液中的大颗粒会造成晶圆表面划痕，影响后续光刻工艺，甚至导致芯片短路。先进制程晶圆对大颗粒更是有严格的限制。

马尔文帕纳科Mastersizer3000+激光粒度仪测量速度高达10000次/秒，蓝光辅助光源可提高纳米级别CMP颗粒的检测精度；更精密的焦平面检测器覆盖0.015 – 144°，实现超宽测量范围 10 nm ~ 3500 μm，完整涵盖CMP抛光液从纳米磨粒到大颗粒污染物的全粒径范围。

实际应用中，如4H-SiC晶体CMP研究（Al₂O₃磨料）：抛光前平均径0.623μm、频率峰0.623μm；后涨至0.798μm、频率0.717μm——证明抛光中生成的MnO₂吸附引发了磨料聚合，需通过粒径优化降低粗糙度。Mastersizer提供前后对比数据，帮助配方调整，提升良率。

针对先进制程，国产CMP产业对抛光材料粒度分析的核心要求是更快的检测速度、更高的检测精度、更严苛的大颗粒检出限，以及全天候的稳定性。

Mastersizer 3000plus 是一款及其稳固的粒度分析仪器，具备高测量重复性与再现性，同一样品重复150次，测量的RSD小于0.5%，完全满足先进制程对粒度检测的要求。

图3.Mastersizer 3000+配有Hydro MV分散单元和Hydro Insight 动态成像装置

图4. 二氧化硅CMP粉体粒径分布

图5. 氧化铝CMP粉体粒径分布

图6. 氧化铈CMP粉体粒径分布

全球CMP抛光液市场被美日厂商垄断，占据80%以上份额。国内安集科技等企业正在快速崛起，但对高端检测设备的需求仍然迫切。马尔文帕纳科作为颗粒表征领域的专家，其粒度检测解决方案，正在帮助越来越多的国产半导体材料企业实现技术突破。