中国粉体网讯 碳化硅，被誉为新一代高效高功率器件的“基石材料”，是支撑5G通信、新能源汽车、轨道交通、智能电网等国家战略产业的核心关键，却长期被国外企业主导，严重制约了我国半导体产业链的高质量发展。面对这一局面，一批中国科学家和产业工作者迎难而上、潜心攻关，推动我国碳化硅产业实现了从"跟跑"到"并跑"再到"领跑"的历史性跨越。
陈小龙
来源：中国科协之声
陈小龙，中国科学院物理研究所研究员，博士生导师，中国科学院院士，天科合达首席科学家。
陈小龙长期从事功能晶体材料研究工作，带领团队历经20余年，成功攻克了晶体扩径这一公认的技术难题；他在国内最早开展成果转化，创建了国内第一家碳化硅晶体产业化公司，实现了我国碳化硅晶体生长和加工技术从0到1，产品从无到有、从有到优；突破了国外对我国碳化硅晶体生长和加工技术的长期封锁，带动了我国碳化硅材料、器件和模块产业链的快速发展。
他发现了金属插层铁硒基系列高温超导体，开辟了国际超导研究新方向，被《自然-材料》社论列为本世纪超导研究的主要进展之一；提出结构基元设计先进功能材料的学术思想，突破了晶体化学领域“鲍林规则”，发现200种全新的电磁功能晶体。在Nat.Chem、Nat.Astron.、Phys.Rev.Lett.、J.Am.Chem.Soc.等国内外期刊发表学术论文470余篇，他引13600余次，单篇最高他引1190余次；制定国家标准3项；授权发明专利70余项（国际专利6项）。
徐现刚
来源：山东大学
徐现刚，山东大学晶体材料全国重点实验室主任、新一代半导体材料集成攻关大平台主任。
作为我国宽禁带半导体材料领域的领军科学家，徐现刚教授始终瞄准国家急需，长期坚守科研一线，敢为人先、潜心攻关，带领团队历时二十余年，攻克大尺寸碳化硅衬底制备核心难题，关键技术指标达到国际领先水平，使我国跻身全球少数掌握该尖端技术的国家之列，实现从“跟跑”到“领跑”的历史性跨越。同时，他坚持科技创新与产业创新深度融合，支撑孵化山东天岳、南砂晶圆等行业领军企业，还为行业输送了一批创新型、应用型的高水平人才，被赞誉为“山大现象”。
高超
来源：九三学社济南市委会
高超，毕业于浙江大学硅材料国家重点实验室，毕业后加入天岳先进前身山东天岳先进材料科技有限公司先后担任研发工程师、研发中心主任、董事兼研发中心主任。现担任山东天岳先进科技股份有限公司董事、首席技术官职位，山东省碳化硅材料重点实验室主任。获评正高级工程师职称，入选国家级青年人才、山东省泰山产业领军人才，获评“九三齐鲁青年科技创新标兵”称号，享受国务院政府特殊津贴。
高超博士一直专注于碳化硅单晶半导体材料的制备技术开发和产业化转化。成功实现了4-8英寸导电型和高纯半绝缘型碳化硅衬底制备技术和产品突破，8英寸碳化硅单晶衬底市占率超过50%，位居全球第一；2024年全球首发12英寸碳化硅单晶衬底，实现国产碳化硅半导体材料的从追赶到引领的转变。助力公司成为A股科创板及港股第一家碳化硅上市企业。主持和参与国家科技重大专项等国家和省部级项目十余项，授权国内国际专利100余项，发表相关学术论文20余篇，以第一完成人获得山东省科技进步一等奖和特等奖各一项。
赵建辉
赵建辉，全球碳化硅半导体领域领军人物，1982年本科毕业于厦门大学物理学系，1985年获美国托利多大学物理学硕士学位，1988年获美国卡内基梅隆大学工学博士学位。美国罗格斯大学电子工程系终身教授、碳化硅（SiC）半导体研究中心主任。2011年，赵建辉在厦门创办瀚天天成。2026年3月30日，瀚天天成正式在港交所主板挂牌上市。
他是全球最早研究碳化硅半导体材料和器件的学者之一，美国及全球首位因碳化硅研究重大贡献获选IEEE Fellow（IEEE院士）的学者。2011年至今获厦门市海外高层次人才和领军型创业人才及福建省双百人才称号，入选国家特聘专家，获“中国侨界贡献奖”，获评“厦门市荣誉市民”。
郝跃
郝跃，中国科学院院士，微电子学专家，教授、博士生导师，1958年3月生于重庆市，1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业。1990年在西安交通大学计算数学专业获博士学位；国际IEEE学会高级会员，中国电子学会常务理事，国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项实施专家组组长，总装备部微电子技术专家组组长，国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。国家重大基础研究计划（973计划）项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家，国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。
郝跃长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体照明短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
张清纯
张清纯，复旦大学特聘教授，博士生导师，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任，复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所所长，复旦大学工程与应用技术研究院宽禁带半导体与超越照明研究所副所长，专长于宽禁带半导体物理与器件的教学、科研、应用与产业化，长期从事SiC器件的研发和产业化，是该领域国际知名专家，曾先后任职于Rockwell、Cree、AOS等行业领军企业。
迄今，他已撰写100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有100多项美国及国际专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。
来源：中国科协之声、山东大学、国际在线、浙江大学材料科学与工程学院、厦门大学物理科学与技术学院、西安电子科技大学集成电路学部、复旦大学智能机器人与先进制造创新学院
（中国粉体网编辑整理/初末）
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