中国粉体网讯 6月2日，黄仁勋在Computex大会上大声喊了一句“能用光的地方全用光”！
十几天后，黄教主坐上了飞往得克萨斯州的飞机，下飞机后，他抄起铁锹来到Coherent在当地的扩建项目现场，铲下第一锹土为该项目奠基。
而在这之前不久，黄仁勋还和Coherent公司的CEO一起跟着特朗普访华，请求中国放松出口审查。
两件看似不相干的事件，却指向了同一个东西：磷化铟。
AI算力竞赛里，GPU算力不再是唯一瓶颈，GPU之间高速互通，才是制约数据中心性能的关键。行业普遍认为，铜线已经走到物理极限，光互联才是出路，所以黄仁勋喊出了那句“能用光的地方全用光”。
于是，作为800G、1.6T乃至下一代CPO光模块不可或缺的衬底材料，磷化铟早跳出了小众材料的范畴，成为了高速光互连的战略基石。
图片来源：住友化学
过去大家更多把目光聚焦在GPU算力竞争，很少有人留意到，这片薄薄的半导体晶圆，已经悄悄成为AI算力传输链条上最紧绷的一环。
据Yole测算，2026年全球磷化铟衬底缺口超过七成，扩产周期长达两年以上。
产能告急！
于是，美国、日本、欧洲、中国使出解数救场，而在各方补短板的过程中，各自的“窘态”也显现得一清二楚。
01美国：
缺产能
在磷化铟这条赛道上，美国最大的底气，来自下游庞大的AI算力市场。英伟达等巨头早早下场，砸下重金锁定衬底产能，试图从需求端掌控供应链的话语权。可资本再雄厚，也很难立刻催生出成熟的本土制造能力。
即便多家企业开启6英寸磷化铟产线扩建计划，晶体生长、工艺调试、良率爬坡都有着客观的时间门槛。一条全新产线从开工到稳定供货，往往需要两年以上周期，这两年时间里缺口很难填上，远水解不了近渴。
除了制造周期，原料也是一道坎。美国本土几乎没有高纯铟矿产资源，生产磷化铟最基础的原材料，始终需要向外采购。就算工厂落地本土，上游资源的主动权依旧不在自己手里，供应链风险如影随形。
02日本：
缺原料，缺市场
很长一段时间，日本都是磷化铟衬底世界里的“老大”。住友电工、JX金属两大厂商，曾经拿下全球七成以上的市场份额。几十年的功力，让日本在6英寸衬底良率、晶体生长稳定性方面，拥有别人很难赶超的硬实力。
但是日本有一个致命软肋：本土几乎没有铟矿。日本生产磷化铟所需要的高纯铟原料，绝大部分依赖海外进口。当上游原料供给出现波动，再先进的产线也会瞬间陷入被动。
原料收紧带来的冲击已经开始显现。不少工厂产能被迫缩减，客户交付周期被一再拉长，部分产线甚至陷入半闲置的窘境。空有顶尖技术，却没有下锅的“米”，再好的工艺也得停摆。
同时，日本也没有足够的下游终端市场体量，大量磷化铟成品和光芯片需要销往海外。外部市场环境一旦发生变化，企业营收就会随之承压。
03欧洲：
抢路线，实际啥都缺
欧洲的打法最不一样——它抢的不是产能，是路线。即依靠硅光工艺优势，把磷化铟作为外挂光源集成进CPO。
很多人以为硅光技术会替代磷化铟，但真实路径恰恰相反：硅本身不发光，硅光技术/CPO必须依赖磷化铟制外置CW激光器作为光源。CPO交换机光引擎数量更多，使得磷化铟总用量反而显著提升，英伟达Spectrum-XCPO交换机单台搭载32个硅光引擎，用量是传统设备的10倍以上。
所以，欧洲争的是“硅光—磷化铟异质集成”这条路线的标准和生态位。
但是，欧洲本土几乎没有成熟的磷化铟衬底量产大厂，自身衬底供给高度依赖日本、美国企业采购。即便IQE等外延企业积极签署长期供货协议，上游衬底供给主动权依旧掌握在别人手中，供应链稳定性不由自己掌控。
另外，与日本一样，欧洲缺少庞大的下游光模块终端市场，产业闭环不完整。可以输出工艺方案、参与标准制定，但缺少终端市场反哺上游制造，很难反向推动本土衬底产能建设。
重路线轻产能，让欧洲陷入了“有方案，缺材料”的尴尬处境。
04中国：
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磷化铟赛道，中国有两大得天独厚的筹码：铟资源与市场。
我国铟储量优势突出。据中国地质调查局《全球矿产资源储量评估报告2024》，截至2022年底，全球可识别铟资源量为43689吨，中国以17538吨占全球40.14%。
下游光模块市场是我国的最为强势的一环，在光通信研究机构LightCounting发布的光模块供应商TOP10榜单中，有7家中国企业上榜。
资源与市场为我国磷化铟产业追赶打下了绝佳基础，但是，资源优势并不会自动转化成高端成品竞争力，多条关卡正漏出“窘态”。
首先是资源到“能用的原料”这一块。
尽管有着巨大的资源优势，上游精铟也充足，7N级以上高纯铟技术也已突破，但产能还远远不够。
高纯红磷则更糟糕，高纯红磷是磷化铟单晶生长的唯一核心磷源，每生产1公斤磷化铟单晶，需消耗0.25至0.3公斤高纯红磷。其纯度标准极为严苛，微量金属杂质、砷杂质会直接造成单晶内部晶格缺陷，严重影响芯片良率。
目前，全球高端高纯红磷市场长期被日本企业垄断——日本长濑化学（NCI）和日本RASA工业两家公司合计占据全球80%以上市场份额。
其次就是设备。生产生长磷化铟单晶的核心设备——单晶炉、MOCVD——目前仍主要依赖进口。国产产线最关键的几台设备，攥在别人手里。
第三是良率差距。日本住友电工耗时数十年，才将6英寸单晶良率做到95%以上。国内6英寸磷化铟衬底的综合良率约70%至85%。这不是“差不多”，这是“代差”。低良率意味着高成本——在衬底价格高企时尚能承受，一旦价格回落，利润空间将急剧收窄。
于是，种种“窘态”柔和在一起造成了我国磷化铟产业最大窘境：资源在手，高端产品国产化跟不上。
小结
中美日欧四方各有所长，也各有枷锁。
谁能更快补齐自身短板，打通资源‑设备‑工艺‑终端的完整链路，谁就有望在下一轮AI高速光互连的赛道抢占先机。
参考来源：36氪、美国地质调查局、投资观察者、科工力量
（中国粉体网编辑整理/山川）
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