中国粉体网讯 2026年6月9日，中瓷电子在平台表示：氮化铝薄膜基板作为低成本非气密封装方案的关键封装材料呈现供不应求的情况。
全球新一轮AI技术爆发带动算力需求激增，在AI算力领域，随着AI应用进入大规模推理阶段，高功耗带来的热量正让传统散热方案逼近天花板。高导热氮化铝陶瓷基板（热导率可达170-200 W/(m·K)，在陶瓷材料中仅次于碳化硅和金刚石）凭借其颠覆性的散热性能和与硅芯片热匹配的特性，已成为AI计算领域不可或缺的战略性基础材料。此外，氮化铝还具有高机械强度和良好的耐蚀性，被认为是最具发展前途的高导热陶瓷材料。
AI的这几个板块，真的很需要它！
AI服务器与GPU集群
在英伟达新一代产品体系中，陶瓷基板的应用主要由芯片功耗大幅提升所驱动。其新一代芯片（如Rubin与Ultra）的功耗已分别达到2850-3000W，传统的环氧树脂PCB在高温下易发生融化、翘曲，且难以保障高频信号的传输完整性。因此，当前的技术路线是在HDI（高密度互联）板中采用PCB与陶瓷基板的混压方案，而非完全替代。即在电流高、热量集中的核心区域使用陶瓷基板，在高精密电路部分仍保留PCB。
高速光模块
AI带动算力需求，直接拉动了数据中心建设和升级，从而对光模块产生了爆炸性需求，作为光模块封装关键材料，陶瓷外壳和基板市场需求快速增长。
高速光模块的核心痛点是光电芯片的高密度散热与高频信号的低损耗传输。氮化铝陶瓷基板导热系数高达170-200 W/(mK)，是800G/1.6T高速光模块的首选，可将光芯片结温控制在60℃以下，较传统基板散热效率提升5倍以上。800G光模块的ROS/COS组件中，采用氮化铝陶瓷基板，可实现差分信号的高精度布线，信号传输损耗较FR-4基板降低40%，满足数据中心长距离传输需求。
CPO封装
CPO（共封装光学）作为下一代数据中心光互连的关键发展方向，其核心在于将光引擎与交换芯片或计算芯片通过先进封装技术集成在同一基板上。电信号的传输距离从“厘米级”瞬间缩短到了“毫米级”，功耗直接降了30%-50%，散热压力骤减。
虽然整体散热压力骤减，但是，将光引擎直接封装到交换芯片旁边，两大高功率器件紧挨在一起，局部热量骤增，这对基板的精度、平整度以及热膨胀系数匹配度提出了极高的要求。陶瓷基板热膨胀匹配性优异，能分散应力集中区域，为高功耗场景提供结构保障。
注：本文不构成任何投资建议。
参考来源：
同花顺、金融研究中心、华清龙湖半导体产业园、热管理实验室、方正证券、中国粉体网
（中国粉体网编辑整理/山林）
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