中国粉体网讯 近日，国务院国资委发布《中央企业科技创新成果推荐目录成果手册（2024年版）》，这份被誉为"央企科创风向标"的手册，再次将第三代半导体碳化硅材料推向了科技创新的聚光灯下。
由中国电子科技集团有限公司旗下的中电科半导体材料有限公司开发的6～8英寸碳化硅单晶衬底及外延材料，是用于制备高温、高频、大功率、高压器件的第三代半导体材料。该产品突破了碳化硅单晶衬底产业化技术瓶颈，集成了33项专利成果，获得3项国家级和省级科学技术奖。目前6英寸产品已实现批量供货，8英寸产品已通过国内外头部芯片厂家和下游企业的应用验证，并对部分企业稳定供货。
图源：烁科晶体
据介绍，中电科半导体材料有限公司是中国电科整合半导体材料领域优势资源组建成立的核心骨干企业，2019年3月28日于天津注册成立，注册资金10亿元，有山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司等多家下属企业，拥有9个省部级创新平台，入选国资委“科改示范企业”。拥有中国电科首席专家1人、新世纪百千万人才工程国家级人选1人、享受国务院政府特殊津贴专家2人、省市级和集团公司专家人才20余人。
电科材料着力建设成为世界一流的电子功能材料创新型企业。公司长期致力于硅、碳化硅等半导体材料的研发、生产，共获得省部级以上科技奖项40余项。主要业务包括硅外延材料、碳化硅单晶衬底材料及碳化硅外延材料。当前，硅外延、碳化硅衬底及外延等产品处于国内领先。山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司入选专精特新企业。2023年荣获全国半导体技术标准优秀奖；2024年荣获中国电子学会科技进步一等奖。
6～8英寸碳化硅单晶衬底及外延材料产品主要指标：
（一）6英寸半绝缘衬底电阻率≥1E10Ω·cm；
（二）6英寸N型衬底微管密度＜0.05cm-2；
（三）8英寸衬底微管密度＜0.5cm-2；
（四）中高压外延层浓度均匀性＜5%；
（五）6500V以上外延层浓度均匀性＜10%；
（六）8英寸外延层浓度均匀性＜5%。
资料来源：国务院国资委，山东大学。
（中国粉体网编辑整理/平安）
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