中国粉体网讯 2025年8月1日，中国电子材料行业协会官网发函，批准发布团体标准《晶体生长用高纯碳化硅粉体》，并予以公示，团体标准编号为“T/CEMIA 049-2025”，实施日期是2025年11月1日。
该团体标准适用于纯度不低于99.9999wt%（6N）的晶体生长用高纯碳化硅粉体，规定了晶体生长用高纯碳化硅粉体的技术要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输及贮存。
近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0.001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响单晶生长的质量以及电学性能。而碳化硅衬底使用环境的不同，生长用粉料合成技术也存在工艺不同，对于N型导电性单晶生长用粉料，要求纯度高、物相单一；而对于半绝缘型单晶生长用粉料，则需要对氮含量进行严格的控制。
然而，由于缺乏统一标准，各企业对粉体指标要求不一，导致原料质量不稳定，阻碍了下游产业发展。因此，由中国电子材料行业协会粉体技术分会提出制定《晶体生长用高纯碳化硅粉体》团体标准，规范碳化硅粉体质量，满足行业需求，以此推动整个半导体产业链的技术提升和健康发展。
该团体标准的发布填补了国内晶体生长用高纯碳化硅粉体标准的空白，通过统一关键指标（如纯度、杂质限值、粒度等），将显著提升国产粉体质量和一致性，降低下游晶体生长环节的技术风险与验证成本，加速国产高纯碳化硅粉体的应用和替代进程，有力支撑我国第三代半导体产业链的自主可控与高质量发展。
来源：中国电子材料行业协会官网
（中国粉体网编辑整理/空青）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除
