随着科学技术的飞速发展，半导体材料的革新速度也进一步加快。当前，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，在新能源汽车、光伏、储能等新兴领域正快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿和制高点。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，碳化硅半导体将在我国5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。
近年来，我国在SiC材料领域取得了显著进展，但与国际先进水平相比，在晶体生长技术、晶圆加工技术等方面仍存在一定差距。SiC晶体生长过程中面临着晶体缺陷控制、生长速率提升、晶体质量稳定性等难题；晶圆加工方面，则存在加工精度不足、良品率低、加工成本较高等挑战。在当前倡导节能减排的大趋势下，快速稳定地突破碳化硅单晶尺寸和质量等关键问题，才能够更好地占据未来碳化硅市场。
在此背景下，中国粉体网将于2025年8月21日在江苏·苏州举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。江苏京创先进电子科技有限公司作为参展单位邀请您共同出席。
2013年京创先进在“人间天堂”苏州成立，公司总部位于常熟经开区，研发中心及商务服务中心设立在相城区。公司多年来一直聚焦在高精密切、磨、抛技术领域，致力于提供先进的自主化、系列化、智能化半导体国产装备及配套工艺一体化解决方案，加速推进行业国产化进程，助力我国半导体行业的发展。
历经十载不懈的发展，公司现已发展成为拥有数字化研发创新中心、数万平米标准产业化生产基地、半导体制程先进工艺联合开发实验室以及一支完善的高水平专业化人才队伍的高新技术企业。京创一直秉承“以客户为先，以贡献者为荣，坚持合作开放，持续精进创新”的价值观，以科技创新驱动产业发展，深入布局划片、减薄、抛光设备三大产品线，为客户创造价值，为振兴民族工业，推动产业发展，贡献一份力量和担当。
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