中国粉体网讯 氮化铝陶瓷材料以其优越的性能而受到普遍关注。20世纪80年代，部分发达国家就开始对氮化铝陶瓷基片进行研发。其中日本对于氮化铝陶瓷基片的研发处于世界的前列。氮化铝陶瓷材料热导率理论值为320W/m·K，电绝缘性能好，机械强度高，介电常数及介质损耗适中，材料热导率受温度影响小，材料无毒性，便于加工制造，是微电子及真空电子领域很有发展前途的一种新型导热绝缘材料。不过，虽然氮化铝陶瓷具有许多优异的性能，但是其力学性能较差，如其抗弯强度只有300MPa。在复杂的力学服役环境下，氮化铝基片易发生损坏，从而对半导体器件寿命造成影响，并增加使用成本。
半导体及电子信息产业的快速发展对核心材料的性能提出了更高要求。陶瓷基板作为功率半导体器件的关键封装材料，其导热性能、机械强度、可靠性和精密程度直接决定了终端产品的性能与寿命。针对材料研发、制备工艺、检测技术、应用场景等核心议题，中国粉体网将于2025年7月29日在江苏无锡举办2025高性能陶瓷基板关键材料技术大会。届时，江苏海古德半导体科技有限公司研发工程师姜益将作题为《高强度氮化铝陶瓷基板制备与成型工艺研究方案》的报告，报告中将介绍江苏海古德半导体科技公司成功开发的一种可稳定制备抗弯强度≥500MPa的高可靠性氮化铝陶瓷基板工艺，并通过晶界调控进一步突破至550MPa，满足高功率电子器件对基板力学性能的极限需求。
专家简介：
姜益，2018年毕业于江苏海洋大学，从事高性能材料开发工作7年，从事高性能氮化铝陶瓷基板开发工作3年。
参考来源：
李发，高导热AlN陶瓷材料制造及其应用研究
张伟儒等，氮化硅：未来陶瓷基片材料的发展趋势
（中国粉体网编辑整理/山林）
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