由江苏工业学院和江苏省陶瓷研究所有限公司共同承担的江苏省高新技术项目“纳米二氧化铈抛光介质的制备研究”，上周通过了江苏省教育厅主持的成果鉴定。鉴定专家认为，该技术为国内首创。
该项目由江苏工业学院陈志刚院长主持。他们采用六亚甲基四胺（HMT）为沉淀剂的均相沉症法制备出了粒径为10～20nm的球形CeO2抛光介质，粉体颗粒尺寸均匀；采用尿素为沉淀剂的均相沉淀法制备出了100～300nm单分散球形CeO2，尺寸均一、可控。项目研究了醇水反应体系下超声辐射以及微波辐射等对CeO2粉体形核生长的影响规律，实现了粉体尺寸和形貌形成的可控性，具有创新性。
据悉，研究人员采用所研制的CeO2抛光介质对硅晶片和砷化镓晶片抛光，表面粗糙度分别为Ra≤0.089nm各Ra≤0.740nm，满足了超光滑加工的要求，在满足超光滑抛光的同时可提高抛光效率。应用试验结果表明，该技术能明显降低硅晶片表面粗糙度，为集成电路基片超光滑加工提供了关键技术。（葛金华 储富强）
该项目由江苏工业学院陈志刚院长主持。他们采用六亚甲基四胺（HMT）为沉淀剂的均相沉症法制备出了粒径为10～20nm的球形CeO2抛光介质，粉体颗粒尺寸均匀；采用尿素为沉淀剂的均相沉淀法制备出了100～300nm单分散球形CeO2，尺寸均一、可控。项目研究了醇水反应体系下超声辐射以及微波辐射等对CeO2粉体形核生长的影响规律，实现了粉体尺寸和形貌形成的可控性，具有创新性。
据悉，研究人员采用所研制的CeO2抛光介质对硅晶片和砷化镓晶片抛光，表面粗糙度分别为Ra≤0.089nm各Ra≤0.740nm，满足了超光滑加工的要求，在满足超光滑抛光的同时可提高抛光效率。应用试验结果表明，该技术能明显降低硅晶片表面粗糙度，为集成电路基片超光滑加工提供了关键技术。（葛金华 储富强）
