美找到精确制备硅基纳米导线方法 具备定向生成特性

美国俄勒冈州健康与科学大学的科研小组2004年2月25日宣布，他们找到一种能精确制备硅基纳米导线的方法，硅基纳米导线能够按照预先设定的位置和方向生成。这是纳米半导体材料研究的重大进展。

　　科研小组发表在23日《应用物理》杂志上的文章指出，利用新的电磁场方法，加上10年前的“蒸汽－液体－固体”沉积技术，他们使硅基纳米导线在电极上按照预先设定的位置与方向生长形成。目前制备的硅基纳米导线直径达到5纳米至20纳米。

　　小组负责人索拉克博士说，硅基纳米导线定向生成特性将有助于研制各种纳米电子元气件，特别是纳米芯片，进而可以打破目前硅芯片集成度的限制，未来能使芯片集成度达到千兆规模；同时，硅纳米导线与纳米芯片将可以用于未来的量子计算机上。

　　科研小组目前准备进一步研究利用硅基纳米导线制造硅纳米电子元气件的有关技术问题。索拉克博士说，小组需要研究硅基纳米导线在电极上与金属接触的情况，以及硅基纳米导线表面涂层或是污染物对电流的影响。这些是制造纳米电子元气件之前必须要搞清楚的问题。他还说，对硅纳米导线涂层或是污染物的研究，将有可能研制出具有多种用途的纳米传感器，诸如探测环境污染或是生物毒剂的传感器。

　　据悉，俄勒冈州健康与科学大学科研小组的这项研究受到了著名芯片制造商英特尔等多家公司的赞助。