据在美国佐治亚理工学院的研究人员称，石墨与传统的尺寸小于22纳米宽的铜互连线相比能承载多达近1000倍的电流，且运行时温度也低超过10倍。
石墨里电子迁移的速度已经被吹捧为优于铜，但佐治亚学院关于16纳米宽的纳米带数据只是量化了与铜材料比碳的优越性有多大。经佐治亚学院测试，石墨纳米带能传送每平方厘米多达100亿安培的电流，可比铜高出达1000倍。
“在此之前，还没有人测量过石墨的电流承载能力，”佐治亚理工学院的纳米技术研究中心的高级研究工程师Raghunath Murali说：“石墨的这种性能之前没被挖掘出来，一种可能性是在我们的实验结果之前，还没有进行相关的研究。
因为碳的热导率远高于铜，所以由高载流能力的碳构成的石墨纳米带其相应的发热也少。石墨纳米带的导热率为1000-1500瓦特每米开尔文——比铜强10倍。佐治亚学院的研究人员也发表声明，石墨纳米带能减缓电子迁移，这是当铜的线宽下降到纳米级时经常会出现的问题。
“如果承载的电流量与该线的载流能力相近，那么与载流量远远小于载流能力时相比其电子迁移的可能性大，”Murali说，“石墨有比铜高超过两个数量级的载流能力，因此当石墨线和铜线运载等量的电流时，石墨能更好地防止电子迁移。”
Murali的研究小组通过从石墨块上取下薄层，并把它们淀积在SOI硅片上来获得他们的石墨样本。然后釆用电子束光刻来制造金属接触和将石墨切成16-52纳米宽，200-1000纳米长的平行线。
据佐治亚理工学院的研究人员称，要实现石墨互连线的商品化，还有3道障碍：即如何在整个晶圆上生长石墨层的方法（因为当今只能在小的厘米级的范围里轻松生长石墨层），如何形成通孔来连接石墨纳米线，及把石墨集成到CMOS工艺线的后端制造中。
Murali 是和他的部下Yinxiao Yang, Kevin Brenner, Thomas Beck 还有 Juames Meindl 一起完成这项工作的。该研究由半导体研究公司、国防高级研究项目署、互连焦点中心、纳米电子研究机构和纳米电子发明和勘探机构共同赞助。
石墨里电子迁移的速度已经被吹捧为优于铜，但佐治亚学院关于16纳米宽的纳米带数据只是量化了与铜材料比碳的优越性有多大。经佐治亚学院测试，石墨纳米带能传送每平方厘米多达100亿安培的电流，可比铜高出达1000倍。
“在此之前，还没有人测量过石墨的电流承载能力，”佐治亚理工学院的纳米技术研究中心的高级研究工程师Raghunath Murali说：“石墨的这种性能之前没被挖掘出来，一种可能性是在我们的实验结果之前，还没有进行相关的研究。
因为碳的热导率远高于铜，所以由高载流能力的碳构成的石墨纳米带其相应的发热也少。石墨纳米带的导热率为1000-1500瓦特每米开尔文——比铜强10倍。佐治亚学院的研究人员也发表声明，石墨纳米带能减缓电子迁移，这是当铜的线宽下降到纳米级时经常会出现的问题。
“如果承载的电流量与该线的载流能力相近，那么与载流量远远小于载流能力时相比其电子迁移的可能性大，”Murali说，“石墨有比铜高超过两个数量级的载流能力，因此当石墨线和铜线运载等量的电流时，石墨能更好地防止电子迁移。”
Murali的研究小组通过从石墨块上取下薄层，并把它们淀积在SOI硅片上来获得他们的石墨样本。然后釆用电子束光刻来制造金属接触和将石墨切成16-52纳米宽，200-1000纳米长的平行线。
据佐治亚理工学院的研究人员称，要实现石墨互连线的商品化，还有3道障碍：即如何在整个晶圆上生长石墨层的方法（因为当今只能在小的厘米级的范围里轻松生长石墨层），如何形成通孔来连接石墨纳米线，及把石墨集成到CMOS工艺线的后端制造中。
Murali 是和他的部下Yinxiao Yang, Kevin Brenner, Thomas Beck 还有 Juames Meindl 一起完成这项工作的。该研究由半导体研究公司、国防高级研究项目署、互连焦点中心、纳米电子研究机构和纳米电子发明和勘探机构共同赞助。
